[實用新型]一種濕法金屬剝離裝置有效
| 申請號： | 201720040082.1 | 申請日： | 2017-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN206441706U | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 張敬偉;倪煒江;牛喜平;李明山;徐妙玲 | 申請（專利權）人： | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司11003 | 代理人： | 尹振啟,張希宇 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濕法 金屬 剝離 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種濕法金屬剝離裝置，其特征在于，該裝置包括：內腔中盛裝有去膠液的容器，配備一個對所述去膠液進行加熱的加熱裝置，所述容器內腔底部設置有超聲換能器和將晶圓片與容器壁分離開的承托件，與容器內腔連接有去膠液的循環過濾裝置，在所述循環過濾裝置的進水口處設置有電磁體。
2.如權利要求1所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述容器內設置有隔板，所述隔板將容器內腔分隔成上下兩個腔體，所述去膠液盛裝在上腔體中，所述循環過濾裝置設置在下腔體中。
3.如權利要求2所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述隔板上設置有所述循環過濾裝置的進水口和出水口，循環過濾裝置包括能夠過濾金屬渣滓的濾芯和循環水泵。
4.如權利要求1所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述電磁體能夠獨立的進行控制。
5.如權利要求1所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述加熱裝置為設置在所述容器側壁上的加熱膜。
6.如權利要求2所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述隔板上設置有一個連接外界的液體排放口。
7.如權利要求1所述的濕法金屬剝離裝置，其特征在于，所述承托件為格網或者條形格柵。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
