[發(fā)明專利]一種封裝基板、芯片封裝體及芯片堆疊封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711498438.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108231729B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 束方沛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L21/48;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 劉希 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 封裝 芯片 堆疊 方法 | ||
1.一種芯片堆疊封裝方法,其特征在于,所述方法包括:
提供第一封裝基板,其中,所述第一封裝基板包括基板以及設(shè)置于所述基板上的至少一個(gè)連接柱,所述連接柱除上表面外設(shè)置有樹脂保護(hù)層,且所述樹脂保護(hù)層僅位于所述連接柱上,所述連接柱的上表面沒有經(jīng)過暴露處理,所述連接柱的上表面包括抗氧化層;
將至少一個(gè)芯片倒裝于所述第一封裝基板上,并進(jìn)行焊接互連,形成第一芯片封裝體;
提供第二芯片封裝體,將所述第一芯片封裝體與所述第二芯片封裝體進(jìn)行堆疊封裝,所述第一芯片封裝體通過所述連接柱與所述第二芯片封裝體形成電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述將至少一個(gè)芯片倒裝于所述第一封裝基板上,并進(jìn)行焊接互連之后還包括:向所述芯片與基板間的空隙填充樹脂膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述向芯片與基板間的空隙填充樹脂膠包括:利用毛細(xì)底部填充技術(shù)或模塑底部填充技術(shù)向芯片與基板間的空隙填充樹脂膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述樹脂保護(hù)層/樹脂膠的材料為環(huán)氧樹脂,或摻雜有填充料的環(huán)氧樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述連接柱為銅柱,所述第一封裝基板的制備方法包括:
提供一基板;
在所述基板上覆蓋一層負(fù)光阻薄膜;
曝光顯影后露出需要設(shè)置銅柱的開口;
鍍銅得到所述銅柱;
除去多余的負(fù)光阻薄膜,得到帶有銅柱的封裝基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述除去多余的負(fù)光阻薄膜,得到帶有銅柱的封裝基板之后還包括:在所述銅柱的除上表面之外的位置涂覆樹脂形成保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述除去多余的負(fù)光阻薄膜,得到帶有銅柱的基板之后還包括:對(duì)所述銅柱的上表面進(jìn)行抗氧化處理,形成抗氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二芯片封裝體的上面還堆疊有一個(gè)或多個(gè)芯片封裝體。
9.一種封裝基板,其特征在于,所述封裝基板包括基板以及設(shè)置于所述基板上的至少一個(gè)連接柱,所述連接柱用于芯片封裝體之間的電連接,所述連接柱除上表面外設(shè)置有樹脂保護(hù)層,且所述樹脂保護(hù)層僅位于所述連接柱上,所述連接柱的上表面沒有經(jīng)過暴露處理,所述連接柱的上表面包括抗氧化層。
10.一種芯片封裝體,其特征在于,所述芯片封裝體通過如權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的芯片堆疊封裝方法制得。
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