[發(fā)明專利]一種封裝基板、芯片封裝體及芯片堆疊封裝方法

有效

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• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108231729B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 束方沛
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H01L25/065;H01L21/60
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 劉希

本申請公開了一種封裝基板、芯片封裝體及芯片堆疊封裝方法，涉及芯片封裝技術領域。該方法包括：提供第一封裝基板，其中，第一封裝基板包括至少一個連接柱，連接柱除上表面外設置有樹脂保護層；將至少一個芯片倒裝于第一封裝基板上，并進行焊接互連，形成第一芯片封裝體；提供第二芯片封裝體，將第一芯片封裝體與第二芯片封裝體進行堆疊封裝，第一芯片封裝體通過連接柱與第二芯片封裝體形成電連接。通過上述方式，本申請能夠制得穩(wěn)定性和良品率較高的芯片封裝體。

技術領域

本申請涉及芯片封裝技術領域，特別是涉及一種封裝基板、芯片封裝體及芯片堆疊封裝方法。

背景技術

隨著集成電路集成度的增加，對于芯片的封裝密度要求也越來越高，因此，疊層芯片封裝逐漸成為技術發(fā)展的主流。現(xiàn)有成熟的三維集成技術主要為堆疊封裝(Package onPackage，PoP)，在PoP封裝中，上、下封裝體通常以焊球作為互聯(lián)結構實現(xiàn)上、下封裝體的導通。

請結合參閱圖1和圖2，圖1是現(xiàn)有技術中PoP封裝體的側面結構示意圖，圖2是現(xiàn)有技術中PoP封裝體的俯視結構示意圖。現(xiàn)有的PoP封裝工藝一般是先在下封裝體11的封裝基板111上植焊球112，然后再用塑封材料113對下封裝體11進行整體塑封，塑封后再激光穿孔將焊球112露出，以使焊球112能夠與上層封裝體12電連接。

本申請的發(fā)明人在長期的研發(fā)過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有工藝不僅復雜，工藝要求高，還存在一定的不足，如植球后共面性較差對后端制程良率影響較大；塑封后激光穿孔有打不透的可能，影響產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本申請主要解決的技術問題是提供一種封裝基板、芯片封裝體及芯片堆疊封裝方法，能夠制得穩(wěn)定性和良品率較高的芯片封裝體。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種芯片堆疊封裝方法，該方法包括：提供第一封裝基板，其中，第一封裝基板包括至少一個連接柱，連接柱除上表面外設置有樹脂保護層；將至少一個芯片倒裝于第一封裝基板上，并進行焊接互連，形成第一芯片封裝體；提供第二芯片封裝體，將第一芯片封裝體與第二芯片封裝體進行堆疊封裝，第一芯片封裝體通過連接柱與第二芯片封裝體形成電連接。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種封裝基板，該封裝基板包括至少一個連接柱，連接柱除上表面外設置有樹脂保護層，連接柱用于芯片封裝體之間的電連接。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種芯片封裝體，該芯片封裝體通過上述的芯片堆疊封裝方法制得。

本申請的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本申請所提供的芯片堆疊封裝方法，因封裝基板上預先設置有連接柱，且對連接柱做了保護處理，并裸露了用于電連接的上表面；在進行堆疊封裝時，不再需要對芯片封裝體進行整體塑封，簡化了制作工藝，節(jié)約了資源，降低制作成本。同時，連接柱相較于現(xiàn)有的焊球，能夠減少I/O電信號傳輸距離提高處理速度，降低能耗；還能夠縮小上、下封裝體的互連節(jié)距，提升I/O互連數(shù)量，提高接觸良率和可靠性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術中PoP封裝體的側面結構示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術中PoP封裝體的俯視結構示意圖；

圖3是本申請封裝基板第一實施方式的側面結構示意圖；

圖4是本申請封裝基板第二實施方式的側面結構示意圖；

圖5是本申請封裝基板的制備方法一實施方式的工藝流程圖；

圖6是本申請芯片封裝體第一實施方式的側面結構示意圖；

圖7是本申請芯片堆疊封裝方法第一實施方式的流程示意圖；

圖8是本申請芯片堆疊封裝方法第一實施方式中芯片倒裝工藝流程示意圖；