[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711498126.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108198787B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳黎暄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發(fā)明公開(kāi)一種陣列基板及其制造方法。所述制造方法包括：在第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層的反射率大于第一導(dǎo)電層的反射率；在第二導(dǎo)電層上形成絕緣層；在絕緣層上形成一整面光刻膠層，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，以在光刻膠層上形成暴露絕緣層的第一跨接孔；形成暴露第二導(dǎo)電層的第二跨接孔；在光刻膠層上形成第三導(dǎo)電層，第三導(dǎo)電層覆蓋第一跨接孔和第二跨接孔并與第二導(dǎo)電層接觸。基于此，本發(fā)明能夠有利于光刻膠的縮短曝光時(shí)間，提升產(chǎn)能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

目前，顯示器普遍使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板進(jìn)行像素驅(qū)動(dòng)，以完成顯示。陣列基板作為目前顯示器中的主要結(jié)構(gòu)部分，用于向顯示器提供驅(qū)動(dòng)電路，通常設(shè)置有數(shù)條柵極掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線，該數(shù)條柵極掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線限定出多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)置有TFT器件和像素電極，TFT的柵極和相應(yīng)的柵極掃描線連接，當(dāng)柵極掃描線上的電壓達(dá)到開(kāi)啟電壓時(shí)，TFT的源極和漏極導(dǎo)通，從而將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓輸入至像素電極，進(jìn)行控制相應(yīng)像素區(qū)域的顯示。傳統(tǒng)的陣列基板上像素單元通常包括自下而上依次層疊設(shè)置的襯底基板、半導(dǎo)體層、氧化層、柵極圖案、第一絕緣層、第二絕緣層、源極圖案和漏極圖案、絕緣保護(hù)層、及像素電極，其中，為了實(shí)現(xiàn)兩導(dǎo)電層之間的電性連接，還需要在像素單元上制作跨接孔。

隨著高清顯示器的開(kāi)發(fā)，人們對(duì)顯示器的分辨率的需求也越來(lái)越高，高像素密度(Pixels Per Inch,PPI)已經(jīng)成為顯示器行業(yè)的主要發(fā)展方向，這就需要將TFT器件中的跨接孔的尺寸做到很小。現(xiàn)有技術(shù)主要利用構(gòu)圖工藝制造跨接孔，具體為，在形成有光刻膠(Photo Resist,PR)的導(dǎo)電層上放置掩膜板，然后對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光，將掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移至光刻膠上，再對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影，以此去除光刻膠的被曝光的部分，保留光刻膠的未被曝光的部分，從而使得光刻膠形成所需的圖案，然后以保留的光刻膠為遮蔽，對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，從而形成跨接孔。在曝光過(guò)程中，曝光時(shí)間直接影響到生產(chǎn)整個(gè)陣列基板所需的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，有利于光刻膠的縮短曝光時(shí)間，能夠提升產(chǎn)能。

本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的制造方法，包括：

在第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的反射率大于第一導(dǎo)電層的反射率；

在第二導(dǎo)電層上形成絕緣層；

在絕緣層上形成一整面光刻膠層，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，以在光刻膠層上形成暴露絕緣層的第一跨接孔；

以光刻膠層為遮蔽層，對(duì)第一跨接孔暴露的絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成暴露第二導(dǎo)電層的第二跨接孔；

在光刻膠層上形成第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層覆蓋第一跨接孔和第二跨接孔并與第二導(dǎo)電層接觸。

本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板，包括：

第一導(dǎo)電層；

形成于第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，且所述第二導(dǎo)電層的反射率大于第一導(dǎo)電層的反射率；

形成于第二導(dǎo)電層上的絕緣層；

形成于絕緣層上的光刻膠層，所述光刻膠層開(kāi)設(shè)有暴露第二導(dǎo)電層的跨接孔，且所述跨接孔貫穿絕緣層；

形成于光刻膠層上的第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層覆蓋所述跨接孔并與第二導(dǎo)電層接觸。

有益效果：本發(fā)明設(shè)計(jì)在待形成跨接孔的第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層的反射率大于第一導(dǎo)電層的反射率，在對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光時(shí)，第二導(dǎo)電層可以增加對(duì)光的反射，可以提高光刻膠接收到的曝光光能量，從而能夠縮短曝光時(shí)間，有利于提升產(chǎn)能。

附圖說(shuō)明