[發明專利]陣列基板及其制造方法有效
| 申請號： | 201711498126.6 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108198787B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 陳黎暄 | 申請（專利權）人： | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/84 | 分類號： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一導電層上形成第二導電層，且所述第二導電層的反射率大于所述第一導電層的反射率，所述第一導電層包括薄膜晶體管的源極圖案和漏極圖案；
在所述第二導電層上形成絕緣層；
在所述絕緣層上形成一整面光刻膠層，并對所述光刻膠層進行曝光和顯影，以在所述光刻膠層上形成暴露所述絕緣層的第一跨接孔；
以所述光刻膠層為遮蔽層，對所述第一跨接孔暴露的絕緣層進行刻蝕，以形成暴露所述第二導電層的第二跨接孔；
在所述光刻膠層上形成第三導電層，所述第三導電層覆蓋所述第一跨接孔和第二跨接孔并與所述第二導電層接觸，所述第一跨接孔和所述第二跨接孔貫穿所述絕緣層；
其中，在所述第二導電層和所述第一導電層的厚度之和大于250nm時，所述第一導電層的厚度大于所述第二導電層的厚度的3倍。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導電層的材質為銅，采用鈦、鉬、鋁及銀中的任一種形成所述第二導電層。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導電層的材質為鋁，采用銀形成所述第二導電層。
4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：
第一導電層，所述第一導電層包括薄膜晶體管的源極圖案和漏極圖案；
形成于所述第一導電層上的第二導電層，且所述第二導電層的反射率大于所述第一導電層的反射率；
形成于所述第二導電層上的絕緣層；
形成于所述絕緣層上的光刻膠層，所述光刻膠層開設有暴露所述第二導電層的跨接孔，且所述跨接孔貫穿所述絕緣層；
形成于所述光刻膠層上的第三導電層，所述第三導電層覆蓋所述跨接孔并與所述第二導電層接觸；
其中，在所述第二導電層和所述第一導電層的厚度之和大于250nm時，所述第一導電層的厚度大于所述第二導電層的厚度的3倍。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電層的材質為銅，所述第二導電層的材質為鈦、鉬、鋁及銀中的任一種。
6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電層的材質為鋁，所述第二導電層的材質為銀。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
