[發明專利]高能效輪轂型鎳基刀片及其制備方法

有效

• 申請號: 201711492487.X
• 申請日: 2017-12-30
• 公開（公告）號: CN108300983B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 陳昱;劉學民;王麗萍;李威;冉隆光
• 申請（專利權）人: 蘇州賽爾科技有限公司
• 主分類號: C23C18/32
• 分類號: C23C18/32;C23C18/18;B28D5/02
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫周強

本發明公開了高能效輪轂型鎳基刀片及其制備方法，將刀片基底依次經過常溫堿蝕、常溫酸蝕、沉鋅處理后，再經過化學鍍鎳，得到高能效輪轂型鎳基刀片；制備的產品可用于超薄（10~20μm）及高轉速切割（50000rad/min），避免出現脫落及斷刀現象。

技術領域

本發明屬于削切工具技術，具體涉及高能效輪轂型鎳基刀片及其制備方法。

背景技術

半導體是許多工業整機設備的核心，普遍應用于計算機、通信、消費電子、汽車、工業/醫療、軍事/政府等核心領域。全球半導體行業規模 1994 年突破1000 億美元，2000 年突破 2000 億美元，2010 年將近 3000 億美元，2015 年達到 3363 億美元，全球半導體行業已形成龐大產業規模。2001-2016 年間，國內集成電路市場規模由 1260億元增加至約12000億元，占全球市場 份額的將近 60%。產業銷售額擴大超過23倍，由188億元擴大至4336億元。2001-2016年間，我國集成電路產業與市場復合增長率分別為38.4%和15.1%。2001-2016年我國集成電路封裝、制造、設計齊 頭并進，年均復合增長率分別為36.9%、28.2%和16.4%。其中設計業和制造業占比不斷提升，推動集成電路產業結構趨于優化。

隨著半導體市場的持續突破，半導體產品向著超薄超精方向發展，因此對于加工半導體材料的劃片刀的規格及品質也提出了更高的要求，目前市場上輪轂型鎳基刀片普遍采用二次沉鋅工藝進行電鍍前處理以增加鋁合金基體與鍍層的結合力，該工藝可用于常規輪轂型鎳基劃片刀的切割加工，但對于超薄（10~20μm）及高轉速切割（50000rad/min）會出現脫落及斷刀現象，因此需要針對該問題研發新的合理可行的解決方案。

發明內容

本發明公開了一種高能效輪轂型鎳基刀片及其制備方法，制備的產品可用于超薄（10~20μm）及高轉速切割（50000rad/min），避免出現脫落及斷刀現象。

本發明采用如下技術方案：

一種高能效輪轂型鎳基刀片的制備方法，包括以下步驟，將刀片基底依次經過常溫堿蝕、常溫酸蝕、沉鋅處理后，再經過化學鍍鎳，得到高能效輪轂型鎳基刀片。

本發明中，刀片基底為現有產品，簡單來講為在鋁合金基體上電鍍一層含有金剛石的鍍層，并通過化學出刃方法漏出鍍層形成超薄切割刀片。

本發明創造性的使用化學鍍鎳，進一步增加鋁合金及鎳層結合力，不僅可以制備超薄（10~20μm）的產品，而且高轉速切割（50000rad/min）不會出現脫落及斷刀現象，解決了現有技術認為化學鍍鎳不適用沉鋅后鍍鎳的偏見，取得了意想不到的技術效果。

優選的，化學鍍鎳時，鍍液的組成如下：

NiSO₄·6H₂O 21g/L

(CH₃)₂NHBH₃ 38.5g/ L

二乙烯三胺五甲叉膦酸鈉0. 08 mol /L

氯化銨50 g/ L

十二烷基硫酸鈉20 mg /L

苯并三氮唑 35 mg /L

其余為水。

本發明的鍍液pH =9.0～10.5，有效避免鋅層在化學鍍時的部分溶解問題，切實提供強有力的鍍鎳界面效應。

本發明中，常溫堿蝕的時間為2min；常溫酸蝕的時間為1min；沉鋅處理的時間為2min，溫度為35℃；化學鍍鎳的時間為5min，溫度為50℃。