[發(fā)明專利]微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711488271.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109994413A | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌歐菲顯示科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 張潤(rùn) |
| 地址: | 330013 江西省南昌*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微型元件 可固化 膠層 傳送基板 導(dǎo)電材料 目標(biāo)基板 對(duì)齊 母件 貼附 粘附 生產(chǎn)成本 固化 簡(jiǎn)易 生產(chǎn) | ||
1.一種微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,包括步驟:
在傳送基板上涂布減粘性的可固化膠層;
對(duì)齊所述傳送基板與形成有巨量微型元件的母件,并將所述巨量微型元件粘附在所述可固化膠層上;
對(duì)齊所述傳送基板和涂布有導(dǎo)電材料的目標(biāo)基板,并將所述巨量微型元件貼附到所述導(dǎo)電材料上;和
固化所述可固化膠層以降低所述可固化膠層對(duì)所述巨量微型元件的粘力至小于所述導(dǎo)電材料對(duì)所述巨量微型元件的粘力,以將所述巨量微型元件轉(zhuǎn)移到所述目標(biāo)基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述對(duì)齊所述傳送基板與形成有巨量微型元件的母件,并將所述巨量微型元件粘附在所述可固化膠層上的步驟包括:
在所述傳送基板背離所述可固化膠層的一面設(shè)置第一靶標(biāo);
在所述母件設(shè)置與所述第一靶標(biāo)對(duì)應(yīng)的第二靶標(biāo);
對(duì)齊所述第一靶標(biāo)與所述第二靶標(biāo)以使所述傳送基板與所述母件對(duì)齊。
3.如權(quán)利要求2所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述對(duì)齊所述傳送基板和涂布有導(dǎo)電材料的目標(biāo)基板包括:
在所述目標(biāo)基板上設(shè)置與所述第一靶標(biāo)對(duì)應(yīng)的第三靶標(biāo);
對(duì)齊所述第一靶標(biāo)與所述第三靶標(biāo)以使所述傳送基板與所述目標(biāo)基板對(duì)齊。
4.如權(quán)利要求3所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述對(duì)齊所述第一靶標(biāo)與所述第三靶標(biāo)或所述對(duì)齊所述第一靶標(biāo)與所述第二靶標(biāo)通過視覺傳感器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。
5.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述對(duì)齊所述傳送基板與形成有巨量微型元件的母件,并將所述巨量微型元件粘附在所述可固化膠層上的步驟包括以下步驟:
對(duì)所述微型元件進(jìn)行釋放固定層處理,以使所述微型元件與所述母件分離,從而使所述巨量微型元件粘附在所述可固化膠層上。
6.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述固化所述可固化膠層包括:
使用紫外線照射所述可固化層以使所述可固化膠層固化。
7.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述傳送基板的光學(xué)透過率大于或等于60%。
8.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述可固化膠層的厚度為0.1-100μm。
9.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述巨量微型元件呈矩形陣列且間隔排布,相鄰兩個(gè)所述距離微型元件的間隔為0.1-100μm。
10.如權(quán)利要求1所述的微型元件巨量轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述可固化膠層固化后的粘度小于或等于0.1N/inch。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





