[發明專利]基板干法刻蝕裝置

在審

• 申請號: 201711485183.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108063082A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 羅浩;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

本發明涉及一種基板干法刻蝕裝置，包括上電極板、下電極板和若干支撐凸起件；上電極板和下電極板相對且間隔設置；下電極板上開設有若干活動孔和若干氣孔，各氣孔貫穿下電極板的兩個相背的表面，各活動孔開設于下電極板朝向上電極板的一面；每一支撐凸起件活動插設于一活動孔內，各活動孔的寬度相同，且各活動孔的截面的形狀相同，每一支撐凸起件與對應的活動孔的側壁抵接；各支撐凸起件凸起于下電極板的表面的最大高度相同。通過調整支撐凸起件凸起于下電極板表面的高度，使得凸起至最大高度的支撐凸起件抵接于大板上的空閑區，避免支撐凸起件抵接于大板上的像素區，從而有效避免基板在刻蝕過程中產生不良的斑點，使得基板的刻蝕效果更佳。

技術領域

本發明涉及有機發光顯示制造技術領域，特別是涉及基板干法刻蝕裝置。

背景技術

干法刻蝕(Dry Etching)是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術，在半導體工藝和薄膜晶體管液晶顯示器以及OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)顯示器制造工藝有著廣泛應用。在有機發光二極管LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)陣列基板的制作過程中，通常利用干法刻蝕去除基板表面的薄膜而形成所需電路圖形。干法刻蝕過程中，高頻電壓將反應氣體部分電離為等離子體，相互配合的上部電極和下部電極之間形成電場，等離子體在電場作用下，對放置在下部電極上的基板上的薄膜進行刻蝕。

在實際生產的干法刻蝕過程中，放置在下部電極上的基板由于溫度較高，需要注入氦氣對基板進行冷卻，使得基板及時降溫才能取得較佳的刻蝕效果。在現有技術中，下部電極用于支撐基板，下部電極設置有若干支撐凸起和若干氣孔，支撐凸起用于抵接于基板，支撐基板，氣孔用于注入氮氣。借助這些支撐凸起對基板進行支撐，氦氣通過該氣孔對放置在下部電極上的基板下表面進行吹拂，從而實現對基板的冷卻。

然而在支撐凸起與基板接觸的位置相較于基板上其他未與支撐凸起接觸的位置冷卻效果有所差異，在支撐凸起與基板下表面抵接的位置上容易產生不良斑(Mura)，使得基板產生缺陷。

發明內容

基于此，有必要提供一種基板干法刻蝕裝置。

一種基板干法刻蝕裝置，包括：上電極板、下電極板和若干支撐凸起件；

所述上電極板和所述下電極板相對且間隔設置；

所述下電極板上開設有若干活動孔和若干氣孔，各所述氣孔貫穿所述下電極板的兩個相背的表面，各所述活動孔開設于所述下電極板朝向所述上電極板的一面；

每一所述支撐凸起件活動插設于一所述活動孔內，各所述活動孔的寬度相同，且各所述活動孔的截面的形狀相同，每一所述支撐凸起件與對應的所述活動孔的側壁抵接；

各所述支撐凸起件凸起于所述下電極板的表面的最大高度相同。

在其中一個實施例中，各所述活動孔呈陣列開設于所述下電極板上。

在其中一個實施例中，各所述活動孔等距開設于所述下電極板上。

在其中一個實施例中，各所述氣孔等距開設于所述下電極板上。

在其中一個實施例中，各所述氣孔與各所述活動孔相互交錯設置。

在其中一個實施例中，各所述支撐凸起件具有圓形截面。

在其中一個實施例中，各所述支撐凸起件具有矩形截面。

在其中一個實施例中，各所述支撐凸起件具有多邊形截面。

在其中一個實施例中，各所述支撐凸起件凸起于所述下電極板的表面的最小高度相同。

在其中一個實施例中，各所述支撐凸起件的長度相等。