[發明專利]一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法在審
| 申請號： | 201711485046.7 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109987643A | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 許開華;張云河;葉建;陳元驍 | 申請（專利權）人： | 荊門市格林美新材料有限公司 |
| 主分類號： | C01G51/04 | 分類號： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉紅果;侯峰 |
| 地址： | 448124 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 羥基氧化鈷 前驅體 氨水 層狀結構 反應漿液 反應釜 液堿 制備 鈷酸鋰正極材料 進料速度控制 電化學性能 液相合成法 高溫煅燒 合成成本 降低生產 離心洗滌 去離子水 直接合成 氯化鈷 陳化 底液 嵌鋰 煅燒 配制 能耗 | ||
1.一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，其方法通過以下步驟實施：
步驟1，將去離子水、氨水以及液堿加入反應釜，然后向反應釜通入氧氣并攪拌，獲得底液；
步驟2，將配制好的氯化鈷、氨水和液堿加入含有所述底液的反應釜中，調整所述氯化鈷的進料速度以控制反應，待反應釜中的固含量達到100～300g/L，停止進料，獲得反應漿液；
步驟3，將所述步驟2獲得的反應漿液進行陳化，然后離心洗滌，最后干燥，獲得層狀羥基氧化鈷前驅體。
2.根據權利要求1所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟1中去離子水的加入量為3～4m3。
3.根據權利要求2所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟1中通入氧氣的流量為1～3m3/h。
4.根據權利要求3所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟1中攪拌速度為150～350rpm，攪拌時間為2～10h。
5.根據權利要求4所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟1和步驟2中的去離子水中的氨水的含量均保持為1～5g/L。
6.根據權利要求5所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟1和步驟2的反應過程中的pH值均保持為8～11。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟2中氯化鈷的濃度為80～120g/L。
8.根據權利要求7所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟2中氯化鈷的進料速度為20～100L/h。
9.根據權利要求8所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟3中陳化時間為1～10h。
10.根據權利要求9所述的一種層狀羥基氧化鈷前驅體的制備方法，其特征在于，所述步驟3中洗滌溫度為50～80℃，干燥溫度為100～150℃。
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