[發明專利]偏光片光學參數的測量方法及測量裝置在審
| 申請號： | 201711483432.2 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108181095A | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 海博 | 申請（專利權）人： | 惠州市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G01M11/02 | 分類號： | G01M11/02;G02B5/30 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市仲愷高新技術*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學參數 補償膜 測量參數 偏光片 測量 入射線偏振光 測量裝置 出射光線 第二測量 第一測量 下偏光片 偏光 對偏光片 光學性能 偏光度 暗態 | ||
1.一種偏光片光學參數的測量方法，偏光片包括補償膜和PVA層，其特征在于，所述測量方法包括：
第一狀態下，入射線偏振光依次經過補償膜和PVA層，獲取該狀態下偏光片出射光線亮度最低和亮度最高時的第一測量參數和第二測量參數；
第二狀態下，入射線偏振光依次經過PVA層和補償膜，獲取該狀態下偏光片出射光線亮度最低和亮度最高時的第三測量參數和第四測量參數；
根據第一測量參數、第二測量參數、第三測量參數及第四測量參數中的一個或多個獲取偏光片中補償膜和/或PVA層的光學參數，所述光學參數包括暗態亮度、對比度、偏光度中的任意一種或多種。
2.根據權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述第一狀態下的第一測量參數包括暗態亮度Lv1，第二測量參數包括亮態亮度Lv2；所述第二狀態下的第三測量參數包括暗態亮度Lv3，第四測量參數包括亮態亮度Lv4。
3.根據權利要求2所述的測量方法，其特征在于，所述光學參數包括下述任意一種或多種：
PVA層對暗態亮度的影響為：Lv3；
PVA層和補償膜對暗態亮度的影響為：Lv1；
補償膜對暗態亮度的影響為：Lv1-Lv3；
PVA層對對比度的影響為：Lv4/Lv3；
PVA層和補償膜對對比度的影響為：Lv2/Lv1；
補償膜對對比度的影響為：(Lv4/Lv3)-(Lv2/Lv1)；
PVA層對偏光度的影響為：(Lv4-Lv3)/(Lv3+Lv4)；
PVA層和補償膜對偏光度的影響為：(Lv2-Lv1)/(Lv1+Lv2)；
補償膜對偏光度的影響為：(Lv4-Lv3)/(Lv3+Lv4)-(Lv2-Lv1)/(Lv1+Lv2)。
4.根據權利要求2所述的測量方法，其特征在于，所述測量方法還包括：
第一狀態下，獲取偏光片出射光線亮度最低和亮度最高時的第一穿透頻譜和第二穿透頻譜；
第二狀態下，獲取偏光片出射光線亮度最低和亮度最高時的第三穿透頻譜和第四穿透頻譜。
5.根據權利要求1所述的測量方法，其特征在于，所述第一狀態下的第一測量參數包括暗態穿透率T1⊥，第二測量參數包括亮態穿透率T2∥；所述第二狀態下的第三測量參數包括暗態穿透率T3⊥，第四測量參數包括亮態穿透率T4∥。
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