[發明專利]電池片品質確定方法及裝置有效
| 申請號: | 201711481405.1 | 申請日: | 2017-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN108198767B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 吳堅;蔣方丹;邢國強;王栩生 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 品質 確定 方法 裝置 | ||
1.一種電池片品質確定方法,其特征在于,包括:
根據所述電池片的轉換效率,獲取所述電池片的效率品質級別;
獲取所述電池片的品質參數;所述品質參數包括所述電池片的短路電流、開路電壓、串聯電阻、以及并聯電阻;
獲取所述開路電壓對所述電池片造成的基本填充因子損失;所述基本填充因子損失FF0為:
其中,q是電子的電量,n是太陽電池二極管理想因子,T是溫度,Voc為開路電壓,voc為歸一化的開路電壓;
根據所述基本填充因子損失,以及所述短路電流、開路電壓和串聯電阻,獲取所述電池片的第一填充因子損失;所述第一填充因子損失ΔFF1為:
其中,Rs是所述電池片的串聯電阻,Isc是所述電池片的短路電流;
根據所述基本填充因子損失,以及所述短路電流、開路電壓和并聯電阻,獲取所述電池片的第二填充因子損失;所述第二填充因子損失ΔFF2為:
其中,Rsh是電池片并聯電阻;
根據所述第一填充因子損失與第二填充因子損失之比,計算所述電池片的填充因子損失比;
根據所述效率品質級別和所述填充因子損失比,確定所述電池片的品質級別。
2.根據權利要求1所述的品質確定方法,其特征在于,在所述根據所述電池片的轉換效率,獲取所述電池片的效率品質級別之前,還包括:
根據所述電池片的轉換效率,獲取所述電池片轉換效率的效率品質級別間隔。
3.根據權利要求1所述的品質確定方法,其特征在于,所述根據所述效率品質級別和所述填充因子損失比,確定所述電池片的品質級別,包括:
根據所述效率品質級別,判斷所述電池片是否為低效電池片;
若是,則根據所述電池片的填充因子損失比,確定所述電池片的品質級別。
4.根據權利要求3所述的品質確定方法,其特征在于,所述根據所述電池片的填充因子損失比,確定所述電池片的品質級別,包括:
當所述填充因子損失比大于等于1時,確定所述電池片為高弱光響應電池片;
當所述填充因子損失比小于1時,確定所述電池片為低弱光響應電池片。
5.一種電池片品質確定裝置,其特征在于,包括:
效率品質確定模塊,用于根據所述電池片的轉換效率,獲取所述電池片的效率品質級別;
填充因子損失比計算模塊,用于獲取所述電池片的品質參數,計算所述電池片的填充因子損失比;所述品質參數包括所述電池片的短路電流、開路電壓、串聯電阻、以及并聯電阻;
所述填充因子損失比計算模塊包括基本填充因子損失獲取單元、第一填充因子損失獲取單元、第二填充因子損失獲取單元和填充因子損失比計算單元;
所述基本填充因子損失獲取單元,用于獲取所述開路電壓對所述電池片造成的基本填充因子損失;所述基本填充因子損失FF0為:
其中,q是電子的電量,n是太陽電池二極管理想因子,T是溫度,Voc為開路電壓,voc為歸一化的開路電壓;
所述第一填充因子損失獲取單元,用于根據所述基本填充因子損失,以及所述短路電流、開路電壓和串聯電阻,獲取所述電池片的第一填充因子損失;所述第一填充因子損失ΔFF1為:
其中,Rs是所述電池片的串聯電阻,Isc是所述電池片的短路電流;
所述第二填充因子損失獲取單元,用于根據所述基本填充因子損失,以及所述短路電流、開路電壓和并聯電阻,獲取所述電池片的第二填充因子損失;所述第二填充因子損失ΔFF2為:
其中,Rsh是電池片并聯電阻;
所述填充因子損失比計算單元,用于根據所述第一填充因子損失與第二填充因子損失之比,計算所述電池片的填充因子損失比;
品質級別確定模塊,用于根據所述效率品質級別和所述填充因子損失比,確定所述電池片的品質級別。
6.根據權利要求5所述的品質確定裝置,其特征在于,還包括:
級別間隔獲取模塊,用于在獲取所述電池片的效率品質級別之前,根據所述電池片的轉換效率,獲取所述電池片轉換效率的效率品質級別間隔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





