[發(fā)明專利]光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法

有效

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• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108183070B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊宇鵬;劉偉;任思雨;謝志生;蘇君海;李建華
• 申請（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;G03F7/20
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

一種光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法，包括如下步驟：在基板上形成負性光刻膠層；采用掩膜板在第一預設(shè)光積量下對負性光刻膠層的第一次曝光位置進行第一次曝光；采用掩膜板在第二預設(shè)光積量下對負性光刻膠層的第二次曝光位置進行第二次曝光，其中，第二次曝光位置與第一次曝光位置具有部分重疊的重合區(qū)域；將第二次曝光后的負性光刻膠層進行烘烤操作；將烘烤操作后的負性光刻膠層進行顯影操作，以使負性光刻膠層在基板上形成光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱。上述光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法形成的隔離柱，傾斜坡度較大，從而能夠較好地將蒸鍍材料隔開，使得蒸鍍材料蒸鍍時不容易發(fā)生交連，能夠使得隔離柱滿足隔離蒸鍍材料的要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法。

背景技術(shù)

PMOLED(Passive matrix Organic Light-Emitting Diode，被動矩陣有機電激發(fā)光二極管)顯示產(chǎn)品，為了將蒸鍍材料隔開，基板上方通常需要做一層倒梯形結(jié)構(gòu)的RIB(隔離柱)層。RIB層對于后續(xù)鍍膜的質(zhì)量具有重要影響。

目前為了制作光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)，一般要采用負性光刻膠進行曝光處理，經(jīng)過曝光的負性光刻膠，顯影后留下來，未曝光區(qū)域的負性光刻膠被顯影液顯影掉。一般傳統(tǒng)正常工藝，一次曝光，利用光的衍射效應(yīng)，就能夠制作出光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)。如圖1所示，理想情況下，光線21從掩膜板22上開設(shè)的透光孔22a通過之后會出現(xiàn)部分衍射，從而使得負性光刻膠23形成倒梯形結(jié)構(gòu)的曝光部分23a，從而能夠在顯影后形成倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱，其中23b為未被曝光的負性光刻膠，24為基板。

但是，實際應(yīng)用中，由于曝光設(shè)備以及光刻膠的局限性，曝光機光線衍射區(qū)域較小，使得做出來的隔離柱的傾斜角度較陡，如圖2所示，隔離柱的傾斜角度分別為79.6度和79.9度，接近于80度，幾乎接近于直角，使得傾斜坡度較小，無法較好地將蒸鍍材料隔開，無法滿足隔離蒸鍍材料的要求。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種能夠提高隔離柱的傾斜坡度以及能夠較好地將蒸鍍材料隔開的光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法。

一種光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法，包括如下步驟：

在基板上形成負性光刻膠層；

采用掩膜板在第一預設(shè)光積量下對所述負性光刻膠層的第一次曝光位置進行第一次曝光；

采用所述掩膜板在第二預設(shè)光積量下對所述負性光刻膠層的第二次曝光位置進行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置與所述第一次曝光位置具有部分重疊的重合區(qū)域；所述第一預設(shè)光積量和所述第二預設(shè)光積量的光積量總和，為使所述重合區(qū)域曝光后透射率為100％并發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的光積量；

將第二次曝光后的所述負性光刻膠層進行烘烤操作；

將烘烤操作后的所述負性光刻膠層進行顯影操作，以使所述負性光刻膠層在所述基板上形成光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱。

在其中一個實施例中，在所述將經(jīng)過烘烤操作后的所述負性光刻膠層進行顯影操作，以使所述負性光刻膠層在所述基板上形成所述光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱之后，所述光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱的形成方法還包括如下步驟：

將所述光刻膠倒梯形結(jié)構(gòu)的隔離柱進行熱烘操作。

在其中一個實施例中，所述熱烘操作的溫度為210攝氏度～260攝氏度，所述熱烘操作的時間為800秒～1000秒。

在其中一個實施例中，所述熱烘操作的溫度為230攝氏度，所述熱烘操作的時間為900秒。

在其中一個實施例中，所述第一預設(shè)光積量等于所述第二預設(shè)光積量。

在其中一個實施例中，所述重合區(qū)域占所述第二次曝光位置的面積的50％。