[發明專利]光刻膠倒梯形結構的隔離柱的形成方法

有效

• 申請號: 201711481186.7
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108183070B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 莊宇鵬;劉偉;任思雨;謝志生;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;G03F7/20
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種光刻膠倒梯形結構的隔離柱的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上形成負性光刻膠層；

采用掩膜板在第一預設光積量下對所述負性光刻膠層的第一次曝光位置進行第一次曝光；

將所述基板平移預設距離，采用所述掩膜板在第二預設光積量下對所述負性光刻膠層的第二次曝光位置進行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置與所述第一次曝光位置具有部分重疊的重合區域，以使得光刻膠感光區域截面成“T”字型結構；所述第一預設光積量和所述第二預設光積量的光積量總和，為使所述重合區域曝光后透射率為100％并發生交聯反應的光積量；所述第一預設光積量等于所述第二預設光積量；

將第二次曝光后的所述負性光刻膠層進行烘烤操作，以使所述“T”字形結構區域的負性光刻膠發生交聯反應并擴散，逐漸形成一個倒梯形結構區域；

將烘烤操作后的所述負性光刻膠層進行顯影操作，以使所述負性光刻膠層在所述基板上形成光刻膠倒梯形結構的隔離柱。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述將烘烤操作后的所述負性光刻膠層進行顯影操作，以使所述負性光刻膠層在所述基板上形成所述光刻膠倒梯形結構的隔離柱之后，所述形成方法還包括如下步驟：

將所述光刻膠倒梯形結構的隔離柱進行熱烘操作。

3.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述熱烘操作的溫度為210攝氏度～260攝氏度，所述熱烘操作的時間為800秒～1000秒。

4.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述熱烘操作的溫度為230攝氏度，所述熱烘操作的時間為900秒。

5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述負性光刻膠層為采用負性光刻膠旋涂制備而成。

6.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述重合區域占所述第二次曝光位置的面積的50％。

7.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述顯影操作的時間為120秒。

8.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的溫度為115攝氏度～125攝氏度，所述烘烤操作的時間為140秒～160秒。

9.根據權利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的溫度為118攝氏度～121攝氏度，所述烘烤操作的時間為145秒～155秒。

10.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的溫度為120攝氏度，所述烘烤操作的時間為140秒。