[發(fā)明專利]光波導元件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711480957.0 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN109975924B | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊智仁;黃莉婷;陳東森;呂奇明 | 申請（專利權(quán)）人： | 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 秦劍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波導 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一種光波導元件，包括：
下包覆層，其組成物包括不可被蝕刻的已閉環(huán)的聚酰亞胺及片狀粘土，其中該下包覆層的該片狀粘土的重量百分比介于20％至60％之間；
核心層，其組成物包括可被蝕刻的已閉環(huán)的聚酰亞胺及片狀粘土，其中該核心層的該片狀粘土的重量百分比介于20％至60％之間；以及
上包覆層，其組成物包括聚合物及片狀粘土，其中該上包覆層的該片狀粘土的重量百分比介于20％至60％之間，
其中該核心層置于該下包覆層及該上包覆層之間，該核心層的折射率大于該上包覆層及該下包覆層的折射率，
其中該可被蝕刻的已閉環(huán)的聚酰亞胺具有下列式2的重復單元：
其中，A’為其中X’與Y’各自獨立地為氫、C1-C10的烷基、三氟甲基、羥基、C1-C10的烷氧基、鹵素基、-O-Ar·、-CH2-Ar·、-C(CH3)2-Ar、或-SO2-Ar·，Z’是-O-、-(CR2)m-、-(CH2)p-C(CR3)2-(CH2)q-或-SO2-，且X’與Y’的至少其中之一為羥基，其中R是氫或氟，m、p及q為0-10的整數(shù)，B’是其中X與Y各自獨立地為氫、C1-C10的烷基、三氟甲基、羥基、C1-C10的烷氧基、鹵素基，Z是-O-、-(CR2)m-、-(CH2)p-C(CR3)2-(CH2)q-、-SO2-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH2-Ar-、-Ar-C(CH3)2-Ar-或-Ar-SO2-Ar-，R是氫或氟，m、p及q為0-10的整數(shù)，Ar為苯環(huán)。
2.如權(quán)利要求1所述的光波導元件，其中該上包覆層的該聚合物選自已閉環(huán)的聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂(epoxy)、聚丙烯酸(poly(acrylic acid))、聚甲基丙烯酸(poly(methacrylicacid))、環(huán)烯烴聚合物(poly(cyclic olefin))、聚硅氧烷(polysiloxane)、及聚酰胺-亞酰胺(polyamideimide)。
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