[發(fā)明專利]封裝方法及顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711480416.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108232040B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉世奇;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

本發(fā)明涉及一種封裝方法及顯示設(shè)備。上述的封裝方法包括：將緩沖層膜層和半導(dǎo)體膜層成型于基板上；制備第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層，其中第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層包括第一層間絕緣層和第一金屬膜層；采用成像工藝和干法刻蝕工藝對第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層進(jìn)行刻蝕，以形成第一金屬層圖案，第一金屬層圖案具有留空區(qū)域、第一金屬網(wǎng)格區(qū)域和第二金屬網(wǎng)格區(qū)域，留空區(qū)域?qū)⒌谝唤饘倬W(wǎng)格區(qū)域和第二金屬網(wǎng)格區(qū)域隔開，第一金屬網(wǎng)格區(qū)域上開設(shè)有第一掩膜通孔，第二金屬網(wǎng)格區(qū)域上開設(shè)有第二掩膜通孔；制備第二金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層；上述的封裝方法及顯示設(shè)備，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與工藝方法使燒結(jié)層和背板緊密結(jié)合，保證了顯示設(shè)備的封裝的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備的制備的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種封裝方法及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著科技的迅速發(fā)展，高利用率成為顯示設(shè)備發(fā)展的必然趨勢。為了提高顯示設(shè)備的有效顯示面積，顯示設(shè)備在追求大屏顯示的同時盡可能地減少顯示設(shè)備的邊框?qū)挾取?/p>

由于顯示設(shè)備采用燒結(jié)封裝方法進(jìn)行封裝，為了提高顯示設(shè)備的有效顯示面積，顯示設(shè)備上用于燒結(jié)封裝的面積逐漸減少，進(jìn)而增大了顯示設(shè)備的封裝的粘合程度的不足和封裝失效的風(fēng)險。雖然傳統(tǒng)的燒結(jié)封裝采用更高粘接度的燒結(jié)材料來提高顯示設(shè)備的封裝的粘合程度，但這種燒結(jié)材料經(jīng)過激光燒結(jié)后應(yīng)力較大且剛性較強(qiáng)，使顯示設(shè)備的封裝處容易開裂，從而使顯示設(shè)備的使用壽命較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對顯示設(shè)備的封裝處容易開裂且使用壽命較低的問題，提供一種封裝方法及顯示設(shè)備。

一種封裝方法，包括：

將緩沖層膜層和半導(dǎo)體膜層成型于基板上；

制備第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層，其中所述第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層包括第一層間絕緣層和第一金屬膜層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述第一金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層進(jìn)行刻蝕，以形成第一金屬層圖案，所述第一金屬層圖案具有留空區(qū)域、第一金屬網(wǎng)格區(qū)域和第二金屬網(wǎng)格區(qū)域，所述留空區(qū)域?qū)⑺龅谝唤饘倬W(wǎng)格區(qū)域和所述第二金屬網(wǎng)格區(qū)域隔開，所述第一金屬網(wǎng)格區(qū)域上開設(shè)有第一掩膜通孔，所述第二金屬網(wǎng)格區(qū)域上開設(shè)有第二掩膜通孔；

制備第二金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層，其中所述第二金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層包括第二層間絕緣層和第二金屬膜層，所述第二金屬膜層成型于所述第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層包括至少一層抗?jié)褚嚎涛g層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述第二金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層進(jìn)行刻蝕，以去除與所述第一金屬層圖案對應(yīng)的所述第二金屬膜層；

在所述第二金屬絕緣組合結(jié)構(gòu)層上制備第三層間絕緣層，所述第三層間絕緣層包括至少一層抗?jié)褚嚎涛g層；

制備緩沖層圖案，其中采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述緩沖層上制備凹凸不平的表面，使所述緩沖層部分被刻蝕；采用濕法刻蝕工藝在所述第三層間絕緣層上進(jìn)行側(cè)向刻蝕，以形成側(cè)壁凹槽；所述緩沖層圖案具有第一格柵區(qū)域和第二格柵區(qū)域，且在所述第一格柵區(qū)域和所述第二格柵區(qū)域之間形成有間隔區(qū)域，所述間隔區(qū)域用于將所述第一格柵區(qū)域和所述第二格柵區(qū)域隔開，所述第一格柵區(qū)域上開設(shè)有與所述第一掩膜通孔連通的第一過孔，所述第二格柵區(qū)域開設(shè)有與所述第二掩膜通孔連通的第二過孔；

于所述基板上涂布燒結(jié)層；以及

將蓋板封裝于所述基板上。

在其中一個實施例中，將緩沖層膜層和半導(dǎo)體膜層成型于基板上的步驟包括：

制備所述緩沖層膜層和所述半導(dǎo)體膜層，使緩沖層膜層和半導(dǎo)體膜層成型于基板上；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述半導(dǎo)體膜層進(jìn)行刻蝕，以得到半導(dǎo)體膜層對應(yīng)于封裝處的圖案。