[發明專利]封裝方法及顯示設備

有效

• 申請號: 201711480416.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108232040B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 劉世奇;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種封裝方法，其特征在于，包括：

將緩沖層膜層和半導體膜層成型于基板上；

制備第一金屬絕緣組合結構層，其中所述第一金屬絕緣組合結構層包括第一層間絕緣層和第一金屬膜層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述第一金屬絕緣組合結構層進行刻蝕，以形成第一金屬層圖案，所述第一金屬層圖案具有留空區域、第一金屬網格區域和第二金屬網格區域，所述留空區域將所述第一金屬網格區域和所述第二金屬網格區域隔開，所述第一金屬網格區域上開設有第一掩膜通孔，所述第二金屬網格區域上開設有第二掩膜通孔；

制備第二金屬絕緣組合結構層，其中所述第二金屬絕緣組合結構層包括第二層間絕緣層和第二金屬膜層，所述第二金屬膜層成型于所述第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層包括至少一層抗濕液刻蝕層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述第二金屬絕緣組合結構層進行刻蝕，以去除與所述第一金屬層圖案對應的所述第二金屬膜層；

在所述第二金屬絕緣組合結構層上制備第三層間絕緣層，所述第三層間絕緣層包括至少一層抗濕液刻蝕層；

制備緩沖層圖案，其中采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述緩沖層上制備凹凸不平的表面，使所述緩沖層部分被刻蝕；采用濕法刻蝕工藝在所述第三層間絕緣層上進行側向刻蝕，以形成側壁凹槽；所述緩沖層圖案具有第一格柵區域和第二格柵區域，且在所述第一格柵區域和所述第二格柵區域之間形成有間隔區域，所述間隔區域用于將所述第一格柵區域和所述第二格柵區域隔開，所述第一格柵區域上開設有與所述第一掩膜通孔連通的第一過孔，所述第二格柵區域開設有與所述第二掩膜通孔連通的第二過孔；

于所述基板上涂布燒結層；以及

將蓋板封裝于所述基板上。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，將緩沖層膜層和半導體膜層成型于基板上的步驟包括：

制備所述緩沖層膜層和所述半導體膜層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述半導體膜層進行刻蝕。

3.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，在采用成像工藝和干法刻蝕工藝對所述半導體膜層進行刻蝕之前，以及在制備所述緩沖層膜層和所述半導體膜層之后，還包括步驟：

對所述半導體膜層進行晶化處理。

4.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，制備第一金屬絕緣組合結構層的步驟包括：

制備所述第一層間絕緣層；

在所述第一層間絕緣層內制作所述第一金屬膜層。

5.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，制備第二金屬絕緣組合結構層的步驟包括：

制備所述第二層間絕緣層；

在所述第二層間絕緣層上制作所述第二金屬膜層。

6.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，于所述基板上涂布燒結層之前，以及在制備緩沖層圖案之后，還包括步驟：

于所述緩沖層圖案上制備第三金屬膜層；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述第三金屬膜層上進行刻蝕，以形成所述第三金屬膜層對應的圖案。

7.根據權利要求6所述的封裝方法，其特征在于，于所述基板上涂布燒結層之前，以及在采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述第三金屬膜層上進行刻蝕之后，還包括步驟：

制備第四層間絕緣層，使所述第四層間絕緣層成型于所述第三層間絕緣層上；

采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述第四層間絕緣層上進行刻蝕，以形成所述第四層間絕緣層對應的圖案。

8.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，于所述基板上涂布燒結層之前，以及在采用成像工藝和干法刻蝕工藝在所述第四層間絕緣層上進行刻蝕之后，還包括步驟：

制備平坦化層，使所述平坦化層成型于所述第四層間絕緣層上；

采用成像工藝在所述平坦化層上制作對應的圖案。