[發明專利]一種泛曝補償板、泛曝裝置以及光刻裝置

有效

• 申請號: 201711480285.3
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109991815B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 王健
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了一種泛曝補償板，用于調節達到基底的泛曝光線的光強，所述泛曝補償板包括若干個透光部與若干個擋光部，所述透光部用于泛曝光線通過，所述擋光部用于阻擋泛曝光線通過，通過調節所述透光部與所述擋光部在所述泛曝補償板的排布比例實現調節達到所述基底的泛曝光線。本發明提供的一種泛曝補償板能夠提高曝光量率。

技術領域

本發明屬于光刻設備領域，涉及一種泛曝補償板、泛曝裝置以及光刻裝置。

背景技術

在對藍寶石基底進行曝光的時候，依次對藍寶石基底正面以及背面進行曝光，可以增大對藍寶石基底的曝光焦深，其中對藍寶石基底的背面曝光即為泛曝光。

泛曝光工藝雖然可以增大可用焦深，有效改善藍寶石基底曝光工藝中的“目測色差”問題，但是在對藍寶石基底曝光的切片結果顯示，由于泛曝光源的均勻性較差，造成藍寶石基底全片的中心和邊緣區域藍寶石基底底部特征尺寸的一致性較差，從而導致了泛曝良率也較低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種泛曝補償板、泛曝裝置以及光刻裝置，旨在解決由于泛曝光源均勻性差而引起的泛曝良率低的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種泛曝補償板，用于調節達到基底的泛曝光線的光強，所述泛曝補償板包括若干個透光部與若干個擋光部，所述透光部用于泛曝光線通過，所述擋光部用于阻擋泛曝光線通過，通過調節所述透光部與所述擋光部在所述泛曝補償板的排布比例實現調節達到所述基底的泛曝光線。

本發明進一步設置為，所述若干個透光部與所述若干個擋光部在所述泛曝補償板的排布比例的計算方法包括：

S1：將所述泛曝補償板分成若干個子單元；

S2：測量所述若干個子單元的光強數據；

S3：將S2中的光強數據取倒數，作為所述泛曝補償板透過率分布矩陣；

S4：對所述泛曝補償板的透過率分布矩陣進行歸一化，得到歸一化值I；

S5：將每一個所述子單元細分為k*k的子格點，將子格點進行隨機的0-1分布，其中0代表透光率為0％，1代表透光率為100％，取每個所述子單元的所有子格點的透光率的平均值作為該子單元的透光率A，其中，I(1-5％)≤A≤I(1+5％)，所述k為大于1的自然數；

S6：將S5中子格點為0的部分設置為擋光部，將子格點為1的部分設置為透光部。

本發明進一步設置為，所述S1中所述若干個子單元在所述泛曝補償板的x向均勻取m個，y向均勻取n個，取得m*n個所述子單元，其中位于兩端的所述x向的所述子單元位于所述泛曝補償板x向的兩端，位于兩端的所述y向的所述子單元位于所述泛曝補償板y向的兩端，所述S5中生成的(m*k)*(n*k)的矩陣，所述(m*k)*(n*k)的矩陣為所述泛曝補償板的透光率分布數據。

本發明進一步設置為，所述S4中歸一化值I的計算方法為：

其中I_ij為每一個所述子單元的透過率，max(I_ij)表示所有子單元中的最大透光率，min(I_ij)表示所有子單元中的最小透光率。

本發明進一步設置為，所述若干個透光部與所述若干個擋光部在所述泛曝補償板的排布比例的計算方法包括：

步驟1，將透光部視為點光源，并設泛曝補償板與基底之間的距離為d，通過以下公式計算所述點光源在基底形成的衍射光斑的光強

分布：I_d＝(sin(α)/α)²