[發(fā)明專利]一種泛曝補償板、泛曝裝置以及光刻裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711480285.3 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN109991815B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王健 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 補償 裝置 以及 光刻 | ||
1.一種泛曝補償板,其特征在于,用于調(diào)節(jié)達到基底的泛曝光線的光強,所述泛曝補償板包括若干個透光部與若干個擋光部,所述透光部用于泛曝光線通過,所述擋光部用于阻擋泛曝光線通過,通過調(diào)節(jié)所述透光部與所述擋光部在所述泛曝補償板的排布比例實現(xiàn)調(diào)節(jié)達到所述基底的泛曝光線;
所述若干個透光部與所述若干個擋光部在所述泛曝補償板的排布比例的計算方法包括:
S1:將所述泛曝補償板分成若干個子單元;
S2:測量所述若干個子單元的光強數(shù)據(jù);
S3:將S2中的光強數(shù)據(jù)取倒數(shù),作為所述泛曝補償板透過率分布矩陣;
S4:對所述泛曝補償板的透過率分布矩陣進行歸一化,得到歸一化值I;
S5:將每一個所述子單元細分為k*k的子格點,將子格點進行隨機的0-1分布,其中0代表透光率為0%,1代表透光率為100%,取每個所述子單元的所有子格點的透光率的平均值作為該子單元的透光率A,其中,I(1-5%)≤A≤I(1+5%),所述k為大于1的自然數(shù);
S6:將S5中子格點為0的部分設(shè)置為擋光部,將子格點為1的部分設(shè)置為透光部;
或,所述若干個透光部與所述若干個擋光部在所述泛曝補償板的排布比例的計算方法包括:
步驟1,將透光部視為點光源,并設(shè)泛曝補償板與基底之間的距離為d,通過以下公式計算所述點光源在基底形成的衍射光斑的光強分布:Id=(sin(α)/α)2,其中tan(α)=length(α)/d,length(α)為所述衍射光斑的半徑;
步驟2,對步驟1中的Id進行以下計算:其中I為經(jīng)過泛曝補償板補償后基底靠近泛曝補償板面的光強分布,I0為未經(jīng)過泛曝補償板的基底靠近泛曝補償板面的光強分布;
步驟3,對步驟2進行反卷積計算得到T的分布,將分布有所述T值處設(shè)置為透光部,剩余分布設(shè)置為擋光部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的泛曝補償板,其特征在于,所述S1中所述若干個子單元在所述泛曝補償板的x向均勻取m個,y向均勻取n個,取得m*n個所述子單元,其中位于兩端的所述x向的所述子單元位于所述泛曝補償板x向的兩端,位于兩端的所述y向的所述子單元位于所述泛曝補償板y向的兩端,所述S5中生成(m*k)*(n*k)的矩陣,所述(m*k)*(n*k)的矩陣為所述泛曝補償板的透光率分布數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的泛曝補償板,其特征在于,所述S4中歸一化值I的計算方法為:
其中Iij為每一個所述子單元的透過率,max(Iij)表示所有子單元中的最大透光率,min(Iij)表示所有子單元中的最小透光率。
4.一種泛曝裝置,其特征在于,包括有如權(quán)利要求1-3任一所述泛曝補償板,以及外殼、位于所述外殼中的支撐體、勻光板和光源,所述支撐體用于支撐所述基底,所述勻光板位于所述泛曝補償板與所述光源之間,所述泛曝補償板位于所述勻光板與所述基底之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的泛曝裝置,其特征在于,所述泛曝補償板和所述勻光板均與所述外殼固定連接。
6.一種光刻裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求4至5任一項的所述的泛曝裝置。
7.一種曝光方法,其特征在于,使用如權(quán)利要求4至5任一項的所述的泛曝裝置進行泛曝。
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