[發(fā)明專利]一種對(duì)置靶座磁控濺射裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711477439.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108018535A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧駿;顧為民;任高潮;金浩;王德苗;馮斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州求是真空電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;俞翠華

本發(fā)明公開(kāi)了一種對(duì)置靶座磁控濺射裝置，包括磁控濺射靶座、磁控濺射基臺(tái)座、夾持壓片和擋板組件；所述磁控濺射靶座安裝在真空室上方；所述磁控濺射基臺(tái)座安裝在真空室下方，其與所述磁控濺射靶座之間具有夾角，所述夾角為銳角；所述夾持壓片設(shè)于磁控濺射基臺(tái)座的頂表面，用于夾持固定待濺射基片；所述擋板組件包括多個(gè)擋板，其中一個(gè)擋板設(shè)于磁控濺射基臺(tái)座的上方，其余的擋板分別設(shè)于對(duì)應(yīng)的磁控濺射靶座下方，用于隔開(kāi)磁控濺射各個(gè)靶座和磁控濺射基臺(tái)座。本發(fā)明既可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基片材料的在線等離子清洗功能，同時(shí)可以減小電子對(duì)基片的轟擊。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于磁控濺射領(lǐng)域，具體涉及一種對(duì)置靶座磁控濺射裝置。

背景技術(shù)

在對(duì)一些金屬材料表面進(jìn)行磁控濺射鍍膜時(shí)，由于金屬材料在大氣中存放時(shí)會(huì)在表面形成氧化層而難以獲得結(jié)合力較好的鍍層薄膜，為此最佳的辦法是在真空腔體內(nèi)鍍膜前進(jìn)行在線清洗，目前清洗的方法等離子體轟擊需鍍膜材料表面。傳統(tǒng)的做法是在濺射裝置中配置等離子槍，一般等離子槍價(jià)格都較高，且需要配置相應(yīng)的控制電源。

除了在線清洗外，有些高分子材料在電子轟擊下容易產(chǎn)生一些反應(yīng)，造成材料的損傷。這時(shí)必須采用方案對(duì)射向基片的電子進(jìn)行阻擋，傳統(tǒng)的辦法包括采用接地金屬網(wǎng)對(duì)電子進(jìn)行一定的收集。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種對(duì)置靶座磁控濺射裝置，它既可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基片材料的在線等離子清洗功能，同時(shí)可以減小電子對(duì)基片的轟擊。

實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種對(duì)置靶座磁控濺射裝置，包括磁控濺射靶座、磁控濺射基臺(tái)座、夾持壓片和擋板組件；

所述磁控濺射靶座安裝在真空室上方；

所述磁控濺射基臺(tái)座安裝在真空室下方，其與所述磁控濺射靶座之間的具有夾角，所述夾角為銳角；

所述夾持壓片設(shè)于磁控濺射基臺(tái)座的頂表面，用于夾持固定待濺射基片；

所述擋板組件包括多個(gè)擋板，其中一個(gè)擋板設(shè)于磁控濺射基臺(tái)座的上方，其余的擋板分別設(shè)于對(duì)應(yīng)的磁控濺射靶座下方，用于隔開(kāi)磁控濺射靶座和磁控濺射基臺(tái)座。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述對(duì)置靶座磁控濺射裝置包括至少一個(gè)磁控濺射靶座，各磁控濺射靶座沿著圓周方向均勻排布。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擋板組件中的各個(gè)擋板的結(jié)構(gòu)和尺寸均相同。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擋板組件中設(shè)于磁控濺射基臺(tái)座的上方的擋板的結(jié)構(gòu)和尺寸與設(shè)于磁控濺射靶座下方的擋板的尺寸不同。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述擋板包括相互垂直的第一段和第二段，所述第一段的長(zhǎng)度大于第二段的長(zhǎng)度。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述夾持壓片由石墨材料制成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明設(shè)計(jì)了對(duì)置的磁控濺射靶座和磁控濺射基臺(tái)座，其中，磁控濺射靶座設(shè)置至少一個(gè)。本發(fā)明的對(duì)置靶座磁控濺射裝置工作時(shí)，首先可解決基片真空在線等離子清洗問(wèn)題，相對(duì)與采用等離子源而言不需要額外配置成本較高的等離子槍；其次在基片后方設(shè)置的磁場(chǎng)可有效減少電子對(duì)基片的轟擊。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的應(yīng)用原理作詳細(xì)的描述。