[發(fā)明專利]一種等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711476891.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN109994357B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左濤濤;吳狄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種等離子體處理裝置，該裝置包括至少一個(gè)處理腔室，該處理腔室包括腔體，腔體內(nèi)部包括：基座和能夠上下移動(dòng)的第一阻擋環(huán)；該第一阻擋環(huán)的上下移動(dòng)能夠改變等離子體處理區(qū)域體積的變化，從而改變等離子體處理區(qū)域的壓力變化，因而，通過(guò)第一阻擋環(huán)的上下移動(dòng)能夠調(diào)節(jié)等離子體處理腔室內(nèi)尤其等離子體處理區(qū)域內(nèi)的壓力。而且，在第一阻擋環(huán)上設(shè)置有能夠使反應(yīng)氣體通過(guò)的第一孔結(jié)構(gòu)，在上下移動(dòng)第一阻擋環(huán)的同時(shí)，會(huì)導(dǎo)致等離子體處理區(qū)域和非等離子體處理區(qū)域的壓力差的變化，在該壓力差的變化，會(huì)導(dǎo)致第一阻擋環(huán)的流導(dǎo)的調(diào)節(jié)，該流導(dǎo)的調(diào)節(jié)也會(huì)有利于等離子體處理腔室內(nèi)尤其等離子體處理區(qū)域內(nèi)的壓力的調(diào)節(jié)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

等離子體處理工藝是半導(dǎo)體加工過(guò)程中較為常用的處理工藝，例如采用等離子體進(jìn)行基片的刻蝕。

等離子體處理工藝需要在等離子體處理腔室內(nèi)完成。通常向等離子體處理腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體在處理腔室內(nèi)被電離成等離子體，利用該等離子體對(duì)放置在處理腔室內(nèi)的待處理基片進(jìn)行處理。

隨著半導(dǎo)體器件的集成度提高，半導(dǎo)體器件的線寬越來(lái)越小，關(guān)鍵尺寸的控制也越來(lái)越重要，對(duì)等離子體處理工藝的要求也越來(lái)越高。

為了滿足等離子體處理工藝的要求，需要調(diào)節(jié)等離子體處理過(guò)程中的等離子體處理腔室內(nèi)的壓力，尤其是等離子體處理區(qū)域的壓力。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N等離子體處理裝置，以便于調(diào)節(jié)等離子體處理腔室內(nèi)的壓力，尤其是等離子體處理區(qū)域的壓力。

為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本申請(qǐng)采用了如下技術(shù)方案：

一種等離子體處理裝置，包括至少一個(gè)處理腔室，所述處理腔室包括腔體，所述腔體內(nèi)部包括：基座和能夠上下移動(dòng)的第一阻擋環(huán)；

其中，所述基座設(shè)置在腔體底部，用于承載待處理基片；

所述第一阻擋環(huán)設(shè)置在所述基座和腔體側(cè)壁之間，所述第一阻擋環(huán)上設(shè)置有多個(gè)能夠使氣體通過(guò)的第一孔結(jié)構(gòu)；

所述第一阻擋環(huán)將處理腔室內(nèi)部空間分割成上下兩個(gè)區(qū)域，所述上下兩個(gè)區(qū)域分別為等離子體處理區(qū)域和非等離子體處理區(qū)域。

可選地，所述基座為能夠升降的基座，所述第一阻擋環(huán)的一側(cè)與所述基座連接，所述第一阻擋環(huán)的另一側(cè)通過(guò)波紋管與所述腔體連接。

可選地，所述腔體內(nèi)還包括用于控制所述第一阻擋環(huán)上下移動(dòng)的升降機(jī)構(gòu)。

可選地，所述升降機(jī)構(gòu)位于所述非等離子體處理區(qū)域內(nèi)。

可選地，所述升降機(jī)構(gòu)位于所述等離子體處理區(qū)域內(nèi)。

可選地，所述升降機(jī)構(gòu)包括執(zhí)行機(jī)構(gòu)和與所述第一阻擋環(huán)連接的傳動(dòng)桿。

可選地，所述等離子體處理裝置包括至少兩個(gè)所述處理腔室；

所述等離子體處理裝置還包括真空泵，所述真空泵分別與每個(gè)所述處理腔室的非等離子體處理區(qū)域連通。

一種等離子體處理裝置，包括至少一個(gè)處理腔室，所述處理腔室包括腔體，所述腔體內(nèi)部包括：基座、能夠上下移動(dòng)的第一阻擋環(huán)以及第二阻擋環(huán)；

其中，所述基座設(shè)置在腔體底部，用于承載待處理基片；

所述第一阻擋環(huán)和所述第二阻擋環(huán)均設(shè)置在所述基座和腔體側(cè)壁之間，并且所述第二阻擋環(huán)設(shè)置在所述第一阻擋環(huán)的上方；所述第一阻擋環(huán)上設(shè)置有多個(gè)能夠使氣體通過(guò)的第一孔結(jié)構(gòu)，所述第二阻擋環(huán)上均設(shè)置有多個(gè)能夠使氣體通過(guò)的第二孔結(jié)構(gòu)；

所述第二阻擋環(huán)將處理腔室內(nèi)部空間分割成上下兩個(gè)區(qū)域，所述上下兩個(gè)區(qū)域分別為等離子體處理區(qū)域和非等離子體處理區(qū)域。