[發明專利]一種等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201711476891.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109994357B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 左濤濤;吳狄
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括至少一個處理腔室，所述處理腔室包括腔體，所述腔體內部包括：基座和能夠上下移動的第一阻擋環；其中，所述基座設置在腔體底部，用于承載待處理基片；

所述第一阻擋環設置在所述基座和腔體側壁之間，所述第一阻擋環上設置有多個能夠使氣體通過的第一孔結構；

所述第一阻擋環將處理腔室內部空間分割成上下兩個區域，所述上下兩個區域分別為等離子體處理區域和非等離子體處理區域；

所述第一阻擋環的上下移動能夠改變所述等離子體處理區域體積的變化，從而在處理之前或處理過程中調節等離子體處理過程中的等離子體處理腔室內部的壓力。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述基座為能夠升降的基座，所述第一阻擋環的一側與所述基座連接，所述第一阻擋環的另一側通過波紋管與所述腔體連接。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述腔體內還包括用于控制所述第一阻擋環上下移動的升降機構。

4.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述升降機構位于所述非等離子體處理區域內。

5.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述升降機構位于所述等離子體處理區域內。

6.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述升降機構包括執行機構和與所述第一阻擋環連接的傳動桿。

7.根據權利要求1-6任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置包括至少兩個所述處理腔室；

所述等離子體處理裝置還包括真空泵，所述真空泵分別與每個所述處理腔室的非等離子體處理區域連通。

8.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括至少一個處理腔室，所述處理腔室包括腔體，所述腔體內部包括：基座、能夠上下移動的第一阻擋環以及第二阻擋環；

其中，所述基座設置在腔體底部，用于承載待處理基片；

所述第一阻擋環和所述第二阻擋環均設置在所述基座和腔體側壁之間，并且所述第二阻擋環設置在所述第一阻擋環的上方；所述第一阻擋環上設置有多個能夠使氣體通過的第一孔結構，所述第二阻擋環上均設置有多個能夠使氣體通過的第二孔結構；

所述第二阻擋環將處理腔室內部空間分割成上下兩個區域，所述上下兩個區域分別為等離子體處理區域和非等離子體處理區域；

所述第一阻擋環的上下移動能夠改變所述等離子體處理區域體積的變化，從而在處理之前或處理過程中調節等離子體處理過程中的等離子體處理腔室內部的壓力。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一阻擋環能夠在水平方向上轉動。

10.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述腔體內還包括用于控制所述第一阻擋環上下移動的升降機構。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述升降機構位于所述非等離子體處理區域內。

12.根據權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述升降機構包括執行機構和與所述第一阻擋環連接的傳動桿。

13.根據權利要求8-12任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置包括至少兩個所述處理腔室；

所述等離子體處理裝置還包括真空泵，所述真空泵分別與每個所述處理腔室的非等離子體處理區域連通。