[發明專利]一種垂直結構粗化方法

在審

• 申請號: 201711475429.6
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108364844A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 單志遠;陳黨盛;王亞洲
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 朱成之

本發明公開了一種垂直結構粗化方法，包括：在露出的GaN層表面施加等離子體處理工藝，并在GaN層表面形成一氧化層；對GaN層進行粗化處理。等離子體處理工藝包括：通過等離子體增強化學氣相沉積法向GaN層表面通一定量的O2。本發明利用PECVD在GaN表面處理用來抑制KOH腐蝕使晶胞受損較小，解決過粗化及粗化不均等問題，提高芯片性能。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種垂直結構粗化方法。

背景技術

GaN表面粗化后具有VF低、發光強度高、發光分布均勻、耗電量小、壽命長等優點，在垂直等結構中廣泛被應用。在粗化前對于N型GaN表面的處理方案對控制粗化效率和優劣有關鍵作用。

然而在對GaN表面進行粗化時，通常對GaN表面過度粗化或粗化不均勻，如圖1所示，過粗化后的晶胞疏而禿，形貌差，其晶胞受損嚴重，從而降低了芯片的性能。

發明內容

本發明的目的是提供一種垂直結構粗化方法，利用PECVD在GaN表面處理用來抑制KOH腐蝕使晶胞受損較小，解決過粗化及粗化不均等問題，提高芯片性能。

為了實現以上目的，本發明是通過以下技術方案實現的：

一種垂直結構粗化方法，其特點是，包括：

在露出的GaN層表面施加等離子體處理工藝，并在GaN層表面形成一氧化層；

對所述的GaN層進行粗化處理。

所述的等離子體處理工藝包括：

通過等離子體增強化學氣相沉積法向GaN層表面通一定量的O2。

所述的氧化層為鈍化態，用于改變GaN層表面的勢壘。

對所述的GaN層進行粗化處理包括：

通過一定濃度和溫度的KOH對GaN層進行處理。

所述的O2對GaN層氧化反應條件：

溫度為150-260℃，功率為200-500W，反應時間為：3-10min。

本發明與現有技術相比，具有以下優點：

在GaN表面利用PECVD等離子體處理，用來抑制KOH腐蝕使晶胞受損較小，減少過粗化現象，增加器件的抗靜電能力，提高電流的均勻分布，從而提高垂直結構LEDs的發光性能；

采用 PECVD 做GaN表面處理，優化粗化形貌，提高垂直結構芯片的發光強度。

附圖說明

圖1為現有技術中粗化后的晶胞示意圖；

圖2為本發明一種垂直結構粗化方法的流程圖；

圖3為本發明一種垂直結構的粗化后的結構示意圖；

圖4為使用本發明后的GaN表面的晶胞圖。

具體實施方式

以下結合附圖，通過詳細說明一個較佳的具體實施例，對本發明做進一步闡述。

為解決現有技術中對GaN表面過度粗化或粗化不均勻的問題，本申請的發明人經過研究提出了一種新的垂直結構粗化方法。以下對該垂直結構粗化方法進行詳細描述。

圖2為本發明一種垂直結構粗化方法的流程圖，該方法包含：

步驟S101，在露出的GaN層表面施加等離子體處理工藝，并在GaN層表面形成一氧化層；

步驟S102，對所述的GaN層進行粗化處理。