[發(fā)明專利]一種垂直結(jié)構(gòu)粗化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711475429.6 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108364844A | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 單志遠;陳黨盛;王亞洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201306 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 粗化 等離子體處理 垂直結(jié)構(gòu) 等離子體增強化學氣相沉積法 表面施加 表面形成 粗化處理 氧化層 晶胞 腐蝕 芯片 受損 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種垂直結(jié)構(gòu)粗化方法，其特征在于，包括：
在露出的GaN層表面施加等離子體處理工藝，并在GaN層表面形成一氧化層；
對所述的GaN層進行粗化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)粗化方法，其特征在于，所述的等離子體處理工藝包括：
通過等離子體增強化學氣相沉積法向GaN層表面通一定量的O2。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)粗化方法，其特征在于，所述的氧化層為鈍化態(tài)，用于改變GaN層表面的勢壘。
4.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)粗化方法，其特征在于，對所述的GaN層進行粗化處理包括：
通過一定濃度和溫度的KOH對GaN層進行處理。
5.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)粗化方法，其特征在于，所述的O2對GaN層氧化反應條件：
溫度為150-260℃，功率為200-500W，反應時間為：3-10min。
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