[發明專利]芯片封裝結構及封裝方法

在審

• 申請號: 201711474693.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108281397A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 譚小春;陸培良
• 申請（專利權）人: 合肥矽邁微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/49;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 高翠花

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括金屬框架層、至少一個芯片及塑封體，所述金屬框架層包括至少一芯片基島及至少一框架焊墊，所述芯片的正面具有多個芯片焊墊，所述芯片的背面與所述芯片基島的正面連接，且所述芯片背面導電，所述芯片的至少一個芯片焊墊通過一金屬墊與所述框架焊墊的正面連接，所述塑封體塑封所述金屬框架層及所述芯片，所述芯片基島的背面及所述框架焊墊的背面暴露于所述塑封體，所述芯片基島及所述框架焊墊作為封裝體的引腳與外部構件連接或者作為散熱引腳。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片基島的正面及所述框架焊墊的正面具有一防氧化層。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片基島的背面及所述框架焊墊的背面具有一金屬層。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述塑封體包括第一塑封體及第二塑封體，所述第一塑封體覆蓋所述金屬框架層及所述芯片，所述第二塑封體覆蓋第一塑封體表面及所述金屬墊。

5.根據權利要求4所述的芯片封裝結構，其特征在于，在所述金屬墊與所述第一塑封體之間及所述金屬墊與所述芯片焊墊及框架焊墊之間具有一導電層。

6.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一載體，所述載體上表面具有一金屬層；

在所述金屬層上形成一圖形化的金屬框架層，所述金屬框架層包括至少一個芯片基島及至少一個框架焊墊；

在所述芯片基島的正面正裝芯片，所述芯片具有至少兩個芯片焊墊，所述芯片具有芯片焊墊的正面朝上，所述芯片的背面與所述芯片基島連接，且所述芯片背面導電；

第一次塑封，形成第一塑封體，所述第一塑封體塑封所述芯片及金屬框架層；

去除所述芯片焊墊及所述框架焊墊對應位置處的第一塑封體，暴露出所述芯片焊墊及框架焊墊的正面；

在所述第一塑封體上形成圖形化的金屬墊，所述金屬墊分別與所述芯片焊墊及框架焊墊連接，其中，所述框架焊墊通過所述金屬墊與至少一個芯片焊墊連接；

第二次塑封，形成第二塑封體，所述第二塑封體塑封所述金屬墊；去除所述載體及金屬層，暴露出所述芯片基島的背面及所述框架焊墊的背面，所述芯片基島及所述框架焊墊作為封裝體的引腳與外部構件連接或者作為散熱引腳。

7.根據權利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，在所述芯片基島的正面正裝芯片步驟之前，還包括一對所述金屬框架層的芯片基島及框架焊墊進行防氧化處理的步驟。

8.根據權利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，在去除所述芯片焊墊及所述框架焊墊對應位置處的第一塑封體的步驟中，需要與其他芯片焊墊或者框架焊墊連接的芯片焊墊對應的第一塑封體被去除。

9.根據權利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，在所述第一塑封體上形成圖形化的金屬墊的方法包括如下步驟：

在所述第一塑封體上形成一導電層，所述導電層覆蓋所述第一塑封體表面且覆蓋所述芯片焊墊及框架焊墊；

在所述導電層上形成一圖形化的光阻層，所述光阻層的圖形對應所述芯片焊墊及所述框架焊墊；

沉積所述金屬墊，所述金屬墊對應所述芯片焊墊及所述框架焊墊；

去除所述光阻層及所述光阻層對應區域的導電層。

10.根據權利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，暴露出所述芯片基島的背面及所述框架焊墊的背面的步驟之后，還包括一對所述芯片基島的背面及所述框架焊墊的背面進行后處理的步驟。