[發明專利]QFN封裝體底部防鍍處理方法在審
| 申請號： | 201711473328.5 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108364875A | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發明（設計）人： | 徐華 | 申請（專利權）人： | 合肥通富微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市經*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 粘膠層 載具 表面形成金屬 雙面粘膠層 表面形成 減少設備 人體健康 油墨噴涂 移除 油墨 正裝 薄膜 申請 傷害 替代 | ||
1.一種QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一載具，在所述第一載具表面形成粘膠層，所述粘膠層為雙面粘膠層；
在所述粘膠層上正裝至少一個QFN封裝體；
在所述QFN封裝體表面形成金屬薄膜；
移除所述第一載具和設置在所述第一載具表面的粘膠層。
2.根據權利要求1所述的QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，所述在所述粘膠層上正裝至少一個QFN封裝體包括：
所述第一載具上設置有至少一個第一通孔，所述粘膠層上設有與所述第一通孔相對應的第二通孔，在每個所述第二通孔處正裝一個QFN封裝體。
3.根據權利要求2所述的QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，所述在所述粘膠層上正裝至少一個QFN封裝體還包括：
所述粘膠層包覆所述QFN封裝體的底部邊緣。
4.根據權利要求2所述的QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，所述移除所述第一載具和設置在所述第一載具表面的粘膠層包括：
提供第二載具，所述第二載具上設置有至少一個容納通槽；
翻轉倒置所述第一載具，表面覆蓋有金屬薄膜的QFN封裝體倒置在所述第二載具上，所述容納通槽與倒置的第一通孔一一對應；
通過頂針穿過所述第一載具和所述粘膠層，所述頂針將表面覆蓋有金屬薄膜的QFN封裝體從所述粘膠層上頂出，表面覆蓋有金屬薄膜的QFN封裝體嵌入相應的容納通槽內。
5.根據權利要求1-4任一項所述的QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，所述粘膠層為導熱發泡膠層。
6.根據權利要求1-4任一項所述的QFN封裝體底部防鍍處理方法，其特征在于，所述在所述QFN封裝體表面形成金屬薄膜包括：
對所述QFN封裝體的表面進行濺鍍，形成覆蓋所述QFN封裝體表面的金屬薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
