[發(fā)明專利]具有低等效串聯(lián)電阻的小型石英晶片的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711471836.X | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108055016A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔣振聲;劉青健;威廉·比華;李小菊;孔國文 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)達(dá)利電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 李倩竹 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 等效 串聯(lián) 電阻 小型 石英 晶片 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種具有低等效串聯(lián)電阻的小型石英晶片的制作方法，該方法包括：對初始的小型石英晶片的兩個表面濺射金屬保護(hù)膜，在已濺射金屬保護(hù)膜的小型石英晶片的一個表面或者兩個表面上，對該小型石英晶片的指定位置進(jìn)行激光去膜處理，對激光去膜處理后的小型石英晶片進(jìn)行晶片腐蝕處理，及對晶片腐蝕處理后的小型石英晶片進(jìn)行金屬腐蝕處理，以去除金屬保護(hù)膜。由于該小型石英晶片的指定位置無金屬保護(hù)膜，使得在晶片腐蝕處理的過程中，小型石英晶片的指定位置被腐蝕，而具有金屬保護(hù)膜的位置不被腐蝕，晶片的具體形狀易于控制。且該方法成本低，能夠有效的幫助大批量的生產(chǎn)制造具有低等效串聯(lián)電阻的小型晶片，滿足市場的需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及石英晶體諧振器和振蕩器所使用的低等效串聯(lián)電阻(EquivalentSeries Resistance，ESR)小型晶片的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有低等效串聯(lián)電阻的小型石英晶片的制作方法。
背景技術(shù)
石英晶體諧振器由于其頻率的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性的特點，在現(xiàn)代電子行業(yè)如通訊、電腦、娛樂設(shè)施及其他類型的產(chǎn)業(yè)，都是不可缺少的一部分。通常情況下，石英晶體諧振器的輸出頻率和所用的石英晶片的有效厚度成反比，頻率越高，則晶片的厚度越薄，厚度和頻率有如下關(guān)系：t＝1.65/F，其中，t表示石英晶片的厚度，單位為毫米，F(xiàn)表示頻率，單位為兆赫茲。
由于各個應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品小型化，對石英晶體諧振器和振蕩器的體積要求也越來越小，使得石英晶片的尺寸也越來越小。然而，石英晶片的尺寸變小，致使石英晶片的等效串聯(lián)電阻變大，從而使能耗增大，降低石英晶體諧振器和振蕩器的有效功效。因此，如何降低小型晶片的等效串聯(lián)電阻是石英晶體諧振器和振蕩器行業(yè)的一個技術(shù)關(guān)鍵，也使得在石英晶體諧振器和振蕩器行業(yè)，努力制造具有低等效串聯(lián)電阻的小型晶片成為了一種越來越大的趨勢。
在石英晶體諧振理論中，從能陷理論中引申出來的一種實施方法就是使小型晶片中央部位的有效諧振面保持相對較厚而周邊部位的無效諧振面保持相對較薄，這樣就能將在晶片中央部位的有效諧振面上的能量盡量保持在中央部位而減少能量向周邊部位的擴(kuò)散，從而減少能量損耗，降低小型晶片的等效串聯(lián)電阻，滿足顧客需求。
在目前情況下，通常按照能陷理論而引申出來的實施方法是滾筒工藝。在這種技術(shù)中，按照一定比例將小型晶片和砂混合放入一個中間空的金屬滾筒中，通過滾動金屬筒來使小型晶片和砂一起在金屬滾筒的內(nèi)壁上摩擦。這樣一來，理論上，可以從統(tǒng)計意義上來大量實現(xiàn)小型晶片的周邊變薄，達(dá)到“能陷”的效果。然而，由于在通常的滾筒工藝過程中，非常難控制每個小晶片的具體運(yùn)動狀態(tài)，從而也難控制每個小晶片的形狀。所以使用這類工藝所生產(chǎn)的小晶片，其在實施晶片能陷理論的設(shè)計要求時非常難控制，致使這類小型晶片的等效串聯(lián)電阻很高，在應(yīng)用中無法充分滿足顧客的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有低等效串聯(lián)電阻的小型石英晶片的制作方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中，滾筒工藝無法有效的控制晶片的具體運(yùn)動狀態(tài)，從而難以控制晶片的具體形狀的技術(shù)問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種具有低等效串聯(lián)電阻的小型石英晶片的制作方法，所述方法包括：
對初始的小型石英晶片的兩個表面濺射金屬保護(hù)膜；
在已濺射金屬保護(hù)膜的所述小型石英晶片的一個表面或者兩個表面上，對所述小型石英晶片的指定位置進(jìn)行激光去膜處理；
對激光去膜處理后的所述小型石英晶片進(jìn)行晶片腐蝕處理；
對晶片腐蝕處理后的所述小型石英晶片進(jìn)行金屬腐蝕處理，以去除金屬保護(hù)膜。
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