[發明專利]具有低等效串聯電阻的小型石英晶片的制作方法在審
| 申請號： | 201711471836.X | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108055016A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 蔣振聲;劉青健;威廉·比華;李小菊;孔國文 | 申請（專利權）人： | 應達利電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 李倩竹 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區福永街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 等效 串聯 電阻 小型 石英 晶片 制作方法 | ||
1.一種具有低等效串聯電阻的小型石英晶片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
對初始的小型石英晶片的兩個表面濺射金屬保護膜；
在已濺射金屬保護膜的所述小型石英晶片的一個表面或者兩個表面上，對所述小型石英晶片的指定位置進行激光去膜處理；
對激光去膜處理后的所述小型石英晶片進行晶片腐蝕處理；
對晶片腐蝕處理后的所述小型石英晶片進行金屬腐蝕處理，以去除金屬保護膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對初始的小型石英晶片的兩個表面濺射金屬保護膜的步驟包括：
將初始的小型石英晶片放置在真空濺射工裝內；
使用真空濺射機對所述小型石英晶片的兩個表面分別濺射一層金屬保護膜；
將已濺射金屬保護膜的所述小型石英晶片從所述真空濺射工裝內取出。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在已濺射金屬保護膜的所述小型石英晶片的一個表面或者兩個表面上，對所述小型石英晶片的指定位置進行激光去膜處理的步驟包括：
將已濺射金屬保護膜的所述小型石英晶片放置在激光工裝內；
在所述小型石英晶片的一個表面或者兩個表面上，使用激光對所述小型石英晶片的指定位置進行激光去膜處理，使所述小型石英晶片的指定位置無金屬保護膜；
將激光去膜處理后的所述小型石英晶片從所述激光工裝內取出。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對激光去膜處理后的所述小型石英晶片進行晶片腐蝕處理的步驟包括：
將激光去膜處理后的所述小型石英晶片放入裝有石英晶體腐蝕液的腐蝕槽內，間隔預置第一時間后取出。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶片腐蝕處理后的所述小型石英晶片進行金屬腐蝕處理的步驟包括：
將晶片腐蝕處理后的所述小型石英晶片放置在裝有金屬腐蝕液的腐蝕槽中，間隔預置第二時間后取出。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在對所述小型石英晶片進行晶片腐蝕處理之后，對所述小型石英晶片進行清洗。
7.根據權利要求1至5任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在對所述小型石英晶片進行金屬腐蝕處理之后，對所述小型石英晶片進行清洗。
8.根據權利要求1至5任意一項所述的方法，其特征在于，在對所述小型石英晶片進行晶片腐蝕處理及金屬腐蝕處理時，所述小型石英晶片放置在腐蝕籃中。
9.根據權利要求1至5任意一項所述的方法，其特征在于，所述指定位置為所述小型石英晶片的兩端或者四邊。
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