[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711471217.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108206182A
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜春生
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成多晶硅圖案、絕緣圖案、導(dǎo)電圖案及介電層，基板上方劃分有沿平行基板方向間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域依次層疊多晶硅圖案、絕緣圖案和導(dǎo)電圖案，第二區(qū)域依次層疊絕緣圖案和導(dǎo)電圖案，介電層形成有暴露多晶硅圖案的摻雜區(qū)域的通孔；

形成覆蓋介電層且通過所述通孔與所述摻雜區(qū)域接觸的導(dǎo)電層；

圖案化處理所述導(dǎo)電層，去除第一區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層；

對第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層進行離子注入處理；

形成覆蓋經(jīng)過所述圖案化處理和離子注入處理的導(dǎo)電層的鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案化處理所述導(dǎo)電層，去除第一區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層，包括：

形成覆蓋所述導(dǎo)電層的光阻層；

采用半色調(diào)Half-tone光罩對所述光阻層進行曝光處理，去除位于所述第一區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的光阻層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層進行離子注入處理之前，所述方法還包括：

去除未被經(jīng)過曝光處理后的光阻層遮蓋的導(dǎo)電層；

對經(jīng)過曝光處理后的光阻層進行灰化處理，去除位于所述第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的光阻層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層為石墨烯薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述對第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層進行離子注入處理，包括：

對位于第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層注入氮離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層為金屬氧化物薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層進行離子注入處理，包括：

對位于第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層注入鎵離子。

8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

位于所述基板上的多晶硅圖案、絕緣圖案、導(dǎo)電圖案及介電層，基板上方劃分有沿平行基板方向間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域依次層疊多晶硅圖案、絕緣圖案和導(dǎo)電圖案，第二區(qū)域依次層疊絕緣圖案和導(dǎo)電圖案，介電層形成有暴露多晶硅圖案的摻雜區(qū)域的通孔；

導(dǎo)電層，覆蓋介電層且通過所述通孔與所述摻雜區(qū)域接觸，所述導(dǎo)電層暴露所述第一區(qū)域的導(dǎo)電圖案，且位于所述第二區(qū)域的導(dǎo)電圖案上方的導(dǎo)電層經(jīng)過離子注入處理；

鈍化層，覆蓋所述導(dǎo)電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層為石墨烯薄膜，位于所述第二區(qū)域的導(dǎo)電層注入有氮離子。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層為金屬氧化物薄膜，位于所述第二區(qū)域的導(dǎo)電層注入有鎵離子。