[發(fā)明專利]具有電絕緣層的磁性裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711471197.7 | 申請日： | 2017-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN108257756A | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | Y.梁;J.布雷;F.約翰遜;J.克拉恩;V.羅賓遜;M.沙 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | H01F7/02 | 分類號： | H01F7/02;H02K1/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;周李軍 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電絕緣層 磁性材料層 層疊結(jié)構(gòu) 磁性裝置 介電材料 熱導(dǎo) | ||
1.一種裝置，所述裝置包括：
多個磁性材料層；和
一個或多個電絕緣層，其中所述多個磁性材料層和所述一個或多個電絕緣層限定層疊結(jié)構(gòu)，其中所述一個或多個電絕緣層的電絕緣層包括熱導(dǎo)介電材料；
其中所述一個或多個電絕緣層的層布置在所述多個磁性材料層的第一層和第二層中間。
2.權(quán)利要求1的裝置，其中所述電絕緣層包括金剛石。
3.權(quán)利要求1的裝置，其中所述熱導(dǎo)介電材料選自同位素純碳-12金剛石和同位素純碳-13金剛石。
4.權(quán)利要求1的裝置，其中所述熱導(dǎo)介電材料選自金剛石、氧化鈹、碳化硅、氮化硼和氮化鋁。
5.權(quán)利要求1的裝置，其中所述電絕緣層具有大于約10W/m-K的熱導(dǎo)率。
6.權(quán)利要求1的裝置，其中所述電絕緣層具有大于約100W/m-K的熱導(dǎo)率。
7.權(quán)利要求1的裝置，其中所述電絕緣層包括聚合物金剛石復(fù)合材料。
8.權(quán)利要求1的裝置，其中所述裝置包括在所述多個磁性材料層的磁性材料層和所述電絕緣層之間的緩沖層，其中在所述多個磁性材料層的磁性材料層上形成所述緩沖層，且其中在所述緩沖層上沉積所述電絕緣層。
9.權(quán)利要求1的裝置，其中所述電絕緣層由金剛石片形成，且其中所述裝置包括粘合劑層，用于使所述電絕緣層粘合到所述多個磁性材料層的磁性材料層。
10.權(quán)利要求1的裝置，其中所述層疊結(jié)構(gòu)包括第一疊層子組件和第二疊層子組件，其中所述第一疊層子組件包括磁性材料層和沉積的電絕緣層，其中所述第二疊層子組件包括磁性材料層和沉積的電絕緣層，其中所述第一疊層子組件粘合到所述第二疊層子組件。
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