[發明專利]基板處理裝置和包括其的基板處理系統

有效

• 申請號: 201711470648.5
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108257893B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 張原浩;裵正龍;金禹永;李賢貞;樸世真;高鏞璿;韓東均;沈雨寬;金鵬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

一種基板處理裝置，包括：腔室，提供處理基板的空間；第一基板支撐件，在腔室內并且構造為當基板裝載到腔室中時支撐基板；第二基板支撐件，在腔室內并且構造為以比第一基板支撐件支撐基板的高度更大的高度支撐基板；第一供應端口，超臨界流體通過第一供應端口被供應到腔室空間的在基板下方的第一空間；第二供應端口，超臨界流體通過第二供應端口被供應到腔室空間的在基板上方的第二空間；以及排放端口，超臨界流體通過排放端口從腔室排出。

技術領域

示例實施方式涉及基板處理裝置和/或包括其的基板處理系統。例如，至少一些示例實施方式涉及使用超臨界液體處理基板的裝置和/或包括其的基板處理系統。

背景技術

隨著半導體器件的設計規則減少，半導體器件的臨界尺寸也可以減小至大約20nm到30nm或更小。因此，可以期望形成具有大約5或更大的相對高的縱橫比的深淺圖案的工藝，并且因此可以期望清潔工藝和干燥工藝。在對具有高縱橫比的圖案形成于其上的基板的工藝中，例如干燥工藝、清潔工藝等，已經提出并使用了利用超臨界流體的方法。

然而，在使用超臨界流體的基板處理裝置中，基板支撐件可以接觸基板的外圍區域以支撐基板。因此，基板的中間區域可以由于其上的液化溶劑的重量而彎曲，從而導致超臨界干燥工藝中的故障。此外，大量的超臨界流體可以用于維持具有高壓和高溫的超臨界相以便處理基板，從而增加處理基板所需的時間。

發明內容

至少一些示例實施方式提供了能夠有效率地執行超臨界流體工藝的基板處理裝置。

至少一些示例實施方式提供了能夠減少處理基板所需的時間以提高生產率的基板處理系統。

根據一些示例實施方式，一種基板處理裝置可以包括：腔室，提供處理基板的空間；在腔室內的第一基板支撐件，第一基板支撐件被構造為當基板裝載到腔室中時支撐基板；在腔室內的第二基板支撐件，第二基板支撐件被構造為在比第一基板支撐件支撐基板的高度更大的高度處支撐基板；第一供應端口，構造為將超臨界流體供應到腔室中的在基板下方的第一空間；第二供應端口，構造為將超臨界流體供應到腔室中的在基板上方的第二空間；以及排放端口，構造為將超臨界流體從腔室排出。

根據一些示例實施方式，一種基板處理裝置可以包括：腔室，提供處理基板的空間，腔室包括彼此可接合地夾緊的上腔室和下腔室，上腔室和下腔室被構造為在腔室關閉的關閉狀態與腔室打開的打開狀態之間切換；在腔室內的第一基板支撐件，第一基板支撐件被構造為當基板裝載到腔室中時在打開狀態下支撐基板；在腔室內的第二基板支撐件，第二基板支撐件被構造為當在腔室中處理基板時在閉合狀態下支撐基板；第一供應端口，構造為將超臨界流體供應到腔室中的在基板下方的第一空間；第二供應端口，構造為將超臨界流體供應到腔室中的在基板上方的第二空間；以及排放端口，構造為將超臨界流體從腔室排出。

根據一些示例實施方式，基板處理裝置可以包括：腔室；第一支撐系統，構造為如果腔室處于打開狀態則從基板的外圍支撐基板；以及第二支撐系統，構造為如果腔室處于關閉狀態則從基板的中間部分支撐基板。

根據一些示例實施方式，一種基板處理系統包括：基板處理裝置，構造為支撐基板并且構造為使用超臨界流體對基板執行超臨界工藝；流體供應模塊，構造為將超臨界流體供應到基板處理裝置的腔室以增大腔室的壓力，并且構造為調節在基板上的液化溶劑和腔室內的超臨界流體的臨界點之前和之后的所供應的超臨界流體的量；以及流體排放模塊，構造為將超臨界流體從腔室排出。

根據一些示例實施方式，一種基板處理裝置可以包括用于支撐裝載到腔室中的基板的第一基板支撐件、以及用于支撐對其執行超臨界干燥工藝的基板的第二基板支撐件。在腔室的關閉狀態下，第二基板支撐件可以在高于第一基板支撐基板的高度的位置處支撐基板。因此，第二基板支撐件可以降低基板由于液化溶劑的重量而彎曲的概率(或者備選地，防止基板由于液化溶劑的重量而彎曲)，從而提高表面干燥工藝的效率。

此外，基板處理系統可以調節腔室內的在流體的臨界點之前和之后的加壓速度，從而減少總的加壓時間。