[發明專利]基板處理裝置和包括其的基板處理系統

有效

• 申請號: 201711470648.5
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108257893B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 張原浩;裵正龍;金禹永;李賢貞;樸世真;高鏞璿;韓東均;沈雨寬;金鵬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種基板處理裝置，包括：

腔室，提供處理基板的空間；

在所述腔室內的第一基板支撐件，所述第一基板支撐件被構造為當所述腔室處于打開狀態以將所述基板裝載到所述腔室中時支撐所述基板；

在所述腔室內的第二基板支撐件，所述第二基板支撐件被構造為當所述腔室處于關閉狀態時在一高度處支撐所述基板，所述高度比當所述腔室處于所述打開狀態時所述第一基板支撐件支撐所述基板的高度大；

第一供應端口，構造為將超臨界流體供應到所述腔室中的在所述基板下方的第一空間；

第二供應端口，構造為將所述超臨界流體供應到所述腔室中的在所述基板上方的第二空間；以及

排放端口，構造為將所述超臨界流體從所述腔室排出。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述第一基板支撐件包括第一支撐構件，所述第一支撐構件被構造為在距離所述腔室的底壁第一高度處支撐所述基板，以及

所述第二基板支撐件包括第二支撐構件，所述第二支撐構件被構造為在距離所述腔室的所述底壁第二高度處支撐所述基板，所述第二高度大于所述第一高度。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述第一支撐構件被構造為支撐所述基板的外圍區域，以及

所述第二支撐構件被構造為支撐所述基板的中間區域。

4.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中所述第二支撐構件比所述第一支撐構件離所述腔室的側壁更遠。

5.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中所述第一支撐構件包括：

第一垂直桿，在垂直方向上從所述腔室的頂壁向下延伸；以及

第一水平桿，在水平方向上從所述第一垂直桿的端部延伸。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，還包括：

阻擋板，在所述第一供應端口與所述第一基板支撐件之間，所述阻擋板被構造為阻擋從所述第一供應端口供應的所述超臨界流體直接朝著所述基板噴射。

7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中所述第二基板支撐件包括：

第二支撐構件，構造為在所述阻擋板上支撐所述基板。

8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中所述第二支撐構件包括：

從所述阻擋板的頂表面向上延伸的多個第二支撐凸起。

9.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中所述第二支撐構件包括：

構造為在所述阻擋板上向上和向下移動的多個升降銷。

10.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中所述腔室包括：

彼此可接合地夾緊的上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室被構造為在所述腔室關閉的關閉狀態與所述腔室打開的打開狀態之間切換。

11.一種基板處理裝置，包括：

腔室，提供處理基板的空間，所述腔室包括彼此可接合地夾緊的上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室被構造為在所述腔室關閉的關閉狀態與所述腔室打開的打開狀態之間切換；

在所述腔室內的第一基板支撐件，所述第一基板支撐件被構造為當所述腔室處于所述打開狀態以將所述基板裝載到所述腔室中時支撐所述基板；

在所述腔室內的第二基板支撐件，所述第二基板支撐件被構造為在所述腔室處于所述關閉狀態的同時當在所述腔室中處理所述基板時在一高度處支撐所述基板，所述高度比當所述腔室處于所述打開狀態時所述第一基板支撐件支撐所述基板的高度大；

第一供應端口，構造為將超臨界流體供應到所述腔室中的在所述基板下方的第一空間；

第二供應端口，構造為將所述超臨界流體供應到所述腔室中的在所述基板上方的第二空間；以及

排放端口，構造為將所述超臨界流體從所述腔室排出。