[發(fā)明專利]一種利用XRF熒光光譜儀測定二氧化硅含量的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711470265.8
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108226202A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊麗;馬韻升;王岳華;賈莎莎;許曉蓮;王肖;張凱;劉艷霞;韓立霞
• 申請（專利權(quán)）人: 黃河三角洲京博化工研究院有限公司
• 主分類號: G01N23/223
• 分類號: G01N23/223
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 苗峻

1.一種XRF熒光光譜儀測定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，采用XRF熒光光譜儀進(jìn)行檢測、外標(biāo)定量，具體步驟如下：

(1)配制標(biāo)準(zhǔn)樣品，標(biāo)準(zhǔn)樣品由二氧化硅和氧化鋁組成，其中二氧化硅所占樣品質(zhì)量比例分別為10％、20％、25％、30％、35％、40％、50％、60％、70％、80％、90％，所有標(biāo)準(zhǔn)樣品在配制前均在105攝氏度烘箱中干燥至恒重；

(2)取步驟(1)配制的標(biāo)準(zhǔn)樣品，全部進(jìn)行精確研磨，研磨后壓制成片；利用XRF熒光光譜儀進(jìn)行分析，利用儀器自帶的標(biāo)準(zhǔn)曲線制作程序制作標(biāo)準(zhǔn)曲線，采用外標(biāo)法繪制二氧化硅含量標(biāo)準(zhǔn)曲線.C＝D+ERM其中C為式樣含量；D為校準(zhǔn)曲線截距；E為校準(zhǔn)曲線斜率；R為常量因子系數(shù)；M為基體強(qiáng)度；

(3)標(biāo)準(zhǔn)曲線漂移校正：進(jìn)入XRF建立曲線界面，輸入漂移校正程序名稱并選擇相對應(yīng)的道組，進(jìn)入漂移校正界面設(shè)定相應(yīng)的參數(shù)測量；

(4)制備陶粒樣品壓片，利用XRF熒光光譜儀進(jìn)樣分析，調(diào)出相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)曲線直接運(yùn)行檢測程序，記錄結(jié)果。

2.如權(quán)利要求1所述的XRF熒光光譜儀測定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，所述的二氧化硅和氧化鋁均為優(yōu)級純試劑。

3.如權(quán)利要求1所述的XRF熒光光譜儀測定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，步驟(3)中相應(yīng)的參數(shù)如下：分析線為Kα，檢測晶體LiF，管壓40KV，管流50mA，積分時間20s。

4.如權(quán)利要求1所述的XRF熒光光譜儀測定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，步驟(1)中標(biāo)準(zhǔn)樣品每份藥品質(zhì)量均為20g，精確稱量至0.0001。

5.如權(quán)利要求1所述的XRF熒光光譜儀測定陶粒中二氧化硅含量的方法，其特征在于，步驟(4)中制備陶粒樣品壓片時，標(biāo)準(zhǔn)樣品與硼酸的質(zhì)量比為2～4：7。