[發明專利]一種DPC陶瓷線路板及其制備方法

在審

• 申請號: 201711468635.4
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108174524A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 章帥;徐慧文;于正國
• 申請（專利權）人: 賽創電氣（銅陵）有限公司
• 主分類號: H05K3/26
• 分類號: H05K3/26;H05K1/03
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周乃鑫

本發明公開了一種DPC陶瓷線路板及其制備方法，該方法包含：制備電鍍加厚陶瓷基板，該電鍍加厚陶瓷基板包含：陶瓷基板，以及設置在該陶瓷基板上的金屬層，該金屬層上具有銅線路；切削處理：將電鍍加厚陶瓷基板的表面進行金屬切削處理，在切削處理過程中，放置電鍍加厚陶瓷基板的平臺為減震平臺，并控制環境和電鍍加厚陶瓷基板的溫度均為室溫；溫度的精度范圍為±2℃。切削處理采用旋轉切削方式。本發明的線路板的制備方法避免了因研磨、拋光等方式對基板造成的一定程度的破壞，且現有技術切割難以達到鏡面的高要求的效果，本發明的線路板的制備方法其DPC陶瓷線路板表面能夠達到鏡面效果，提高了線路板的反射率，經過加工后線路板的厚度均勻性非常好。

技術領域

本發明涉及陶瓷基板制備領域，特別涉及一種DPC陶瓷線路板及其制備方法。

背景技術

隨著電子技術在各應用領域的逐步加深，線路板高度集成化成為必然趨勢，高度的集成化封裝模塊要求良好的散熱承載系統，而傳統線路板FR-4和CEM-3在TC(導熱系數)上的劣勢已經成為制約電子技術發展的一個瓶頸。在大功率LED照明領域，往往采用金屬和陶瓷等具備良好散熱性能的材料制備線路基板，而陶瓷基板的導熱系數根據其制備方式和材料配方的不同，可達220W/M.K左右。

陶瓷線路板主要包括HTCC(Hight-Temperature Co-fired Ceramic)、LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramic)、DBC(Direct Bonded Copper)和DPC(Direct platingcopper)四大類。其中，DPC為直接鍍銅線路板，其制備工藝為：首先，將陶瓷基板做前處理清潔，利用薄膜專業制造技術－真空鍍膜方式于陶瓷基板上濺鍍結合于銅金屬復合層，接著以黃光微影之光阻被覆曝光、顯影、蝕刻、去膜工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學鍍沉積方式增加線路的厚度，待光阻移除后即完成金屬化線路制作。

DPC制備工藝采用了光刻、顯影等半導體制造工藝，不僅降低了DPC制造成本，還實現了線路的高密度集成與精細制作。目前，DPC已廣泛用于大功率LED器件的封裝散熱，具有良好的導熱、絕緣和耐高溫特性。

但是，在DPC制備工藝中，DPC陶瓷線路板表面的平整度對工藝至關重要。目前，通常采用打磨或拋光的方式對銅層的表面進行處理，加工之后表面劃痕嚴重，且會對線路板造成一定程度的破壞。

發明內容

本發明的目的是提供一種DPC陶瓷線路板及其制備方法，該方法解決了現有技術通過打磨或拋光的方式對金屬層表面處理會產生劃痕的問題，能夠使DPC陶瓷線路板表面得到鏡面效果，提高了線路板的反射率，且經過加工后線路板的厚度均勻性非常好。

為了達到上述目的，本發明提供了一種DPC陶瓷線路板的制備方法，該方法包含：制備電鍍加厚陶瓷基板，該電鍍加厚陶瓷基板包含：

陶瓷基板，以及設置在該陶瓷基板上的金屬層，該金屬層上具有銅線路；

切削處理：將電鍍加厚陶瓷基板的表面進行金屬切削處理，在切削處理過程中，放置所述的電鍍加厚陶瓷基板的平臺為減震平臺，并控制環境和電鍍加厚陶瓷基板的溫度均為室溫。

其中，所述的溫度的精度范圍為±2℃；通過循環冷卻水控制所述的電鍍加厚陶瓷基板的溫度為室溫。

其中，所述的切削處理采用旋轉切削方式。

所述的減震平臺具有陶瓷層。

所述的電鍍加厚陶瓷基板的制備方法包含：

金屬化：清洗陶瓷基板后，在該陶瓷基板表面涂覆第一金屬層，得到金屬化陶瓷基板；

圖形電鍍：將金屬化陶瓷基板進行圖形轉移，并通過電鍍加厚，在其表面設置第二金屬層，得到電鍍加厚陶瓷基板；