[發(fā)明專利]一種DPC陶瓷線路板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711468635.4
• 申請(qǐng)日: 2017-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN108174524A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章帥;徐慧文;于正國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽創(chuàng)電氣（銅陵）有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/26
• 分類號(hào): H05K3/26;H05K1/03
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 周乃鑫

1.一種DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，該方法包含：

制備電鍍加厚陶瓷基板(103)，該電鍍加厚陶瓷基板(103)包含：陶瓷基板(102)，以及設(shè)置在該陶瓷基板(102)上的金屬層，該金屬層上具有銅線路；

切削處理：將電鍍加厚陶瓷基板(103)的表面進(jìn)行金屬切削處理，在切削處理過程中，放置所述的電鍍加厚陶瓷基板(103)的平臺(tái)為減震平臺(tái)，并控制環(huán)境和電鍍加厚陶瓷基板(103)的溫度均為室溫；

所述的溫度的精度范圍為±2℃；

所述的切削處理采用旋轉(zhuǎn)切削方式。

2.如權(quán)利要求1所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的減震平臺(tái)具有陶瓷層；通過循環(huán)冷卻水控制所述的電鍍加厚陶瓷基板(103)的溫度為室溫。

3.如權(quán)利要求1所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的電鍍加厚陶瓷基板(103)的制備方法包含：

金屬化：清洗陶瓷基板(101)后，在該陶瓷基板(101)表面涂覆第一金屬層(A)，得到金屬化陶瓷基板(102)；

圖形電鍍：將金屬化陶瓷基板(102)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，并通過電鍍加厚，在其表面設(shè)置第二金屬層(B)，得到電鍍加厚陶瓷基板(103)；

褪膜蝕刻：將電鍍陶瓷線路板(103)的第一金屬層(A)表面貼上的干膜去除后，再通過蝕刻去除所述電鍍陶瓷線路板(103)表面的第一金屬層(A)，得到褪膜蝕刻陶瓷線路板(104)；

將所述的褪膜蝕刻陶瓷線路板(104)的線路表面設(shè)置有防氧化處理層；

和/或所述的褪膜蝕刻陶瓷線路板(104)的線路表面附著有第三金屬層(C)；

所述防氧化處理層包含機(jī)械處理防氧化處理層和化學(xué)腐蝕處理防氧化處理層。

4.如權(quán)利要求2所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的電鍍加厚陶瓷基板(103)的制備方法還包含：

穿孔：在所述的陶瓷基板(101)上穿孔，再進(jìn)行金屬化；

所述的孔為：通孔或盲孔。

5.如權(quán)利要求3所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的陶瓷基板(101)的穿孔方式包含：機(jī)械穿孔方式和激光穿孔方式；

所述的孔的孔徑大小范圍為10μm-1000μm。

6.如權(quán)利要求1-4中任意一項(xiàng)所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述陶瓷基板(101)的材質(zhì)包含：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅中的任意一種或兩種以上。

7.如權(quán)利要求5所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的金屬化的方式包含：真空鍍膜、金屬漿涂覆、金屬箔貼合、電鍍和化學(xué)鍍里中的任意一種或者兩種以上；

所述的金屬化為：陶瓷基板(101)的雙面金屬化或單面金屬化。

8.如權(quán)利要求2所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的所述第一金屬層(A)包含Cr、Ni、Cu、Ti、TiW、Au、Sn中的任意一種或者它們的組合；

所述的第二金屬層(B)包含Cu；

所述第三金屬層(C)包含Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一種或者它們的組合；

所述的第一金屬層(A)的厚度范圍為0.01μm-10μm；

所述的第二金屬層(B)的厚度范圍為0.1μm-500μm；

所述的第三金屬層(C)的厚度范圍為0.01μm-10μm。

9.如權(quán)利要求1所述的DPC陶瓷線路板的制備方法，其特征在于，所述的切削處理的刀頭包括：金剛石刀頭、陶瓷刀頭或金屬刀頭中的任意一種或者兩種以上。

10.一種DPC陶瓷線路板，其特征在于，該線路板采用如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的DPC陶瓷線路板的制備方法獲得。