[發明專利]QLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201711468582.6
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109994615A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 向超宇;王雄志;李樂;張滔;辛征航;李雪
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

本發明屬于量子點技術領域，具體涉及一種QLED器件及其制備方法。該QLED器件包括層疊設置的陽極、量子點發光層、陰極，所述陽極和所述量子點發光層之間還設置有空穴調節層，所述空穴調節層含有磁性材料。本發明的QLED器件，在陽極和量子點發光層之間設置含有磁性材料的空穴調節層，因磁性材料在QLED器件中作為界面時，由于磁性材料的磁矩大小和取向不一，使載流子通過界面時需要克服不同勢壘高度，從而造成真空能級改變，而改變真空能級能夠降低空穴注入勢壘，從而改善QLED器件中的載流子注入平衡，進而提高器件發光效率和穩定性。

技術領域

本發明屬于量子點技術領域，具體涉及一種QLED器件及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于無機納米晶的量子點材料的發光器件，由于其具有波長可調、發射光譜窄、穩定性高、電致發光量子產率高等優點，成為下一代顯示技術的有力競爭者。通常在多層結構QLED器件中，影響其發光效率的重要一點即載流子平衡問題。通常可遷移空穴由陽極經空穴注入、傳輸層到達發光層，并與由陰極經電子注入、傳輸層遷移的電子復合形成激子，進而激子輻射發射光子。值得注意的是，過多的空穴或電子都會產生三粒子系統從而致使產生的激子淬滅，從而降低器件發光效率和穩定性。因此，在不同類型器件中，改變載流子遷移率，改善載流子注入平衡是提高器件效率和穩定性的有效方法。

近年來，由于噴墨打印技術具有高精度、無需Mask、非接觸性、按需打印等優點而受到人們的廣泛關注。其中基于溶液的功能性材料和先進的噴墨打印設備來制作光電器件，可有效提高材料利用率，降低成本并提高生產效率。但該技術的核心問題是噴墨打印設備對墨水的要求較高，包括墨水化學成分、物理性能、配置方法、打印前后處理方法等，這給墨水配制帶來巨大的挑戰。除此之外還必須考慮墨水是否會對器件的其他結構造成物理或化學性質的改變和損毀。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種QLED器件及其制備方法，旨在解決現有QLED器件中載流子注入不平衡，從而影響器件的發光效率和穩定性的技術問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種QLED器件，包括層疊設置的陽極、量子點發光層、陰極，所述陽極和所述量子點發光層之間還設置有空穴調節層，所述空穴調節層含有磁性材料。

本發明另一方面提供一種上述QLED器件的制備方法，包括如下步驟：

提供所述磁性材料；

將所述磁性材料沉積在所述陽極或所述量子點發光層上，得到所述空穴調節層。

本發明提供的QLED器件，在陽極和量子點發光層之間設置含有磁性材料的空穴調節層，因磁性材料在QLED器件中作為界面時，由于磁性材料的磁矩大小和取向不一，使載流子通過界面時需要克服不同勢壘高度，從而造成真空能級改變，而改變真空能級能夠降低載流子(如空穴)注入勢壘，從而改善QLED器件中的載流子注入平衡，進而提高器件發光效率和穩定性。

本發明提供的QLED器件的制備方法，在陽極或量子點發光層上沉積一層含有磁性材料的空穴調節層，工藝簡單易行，最終制得的QLED器件具有很好的發光效率和穩定性。

附圖說明

圖1為本發明的磁性材料施加外場前后的磁矩方向變化圖；

圖2為本發明實施例1中不同厚度的磁性層對QLED器件發光效率影響圖；

圖3為本發明實施例4中鐵摻雜對氧化鋅薄膜的載流子遷移率的影響圖；

圖4為本發明實施例5中鐵摻雜對QLED器件發光效率影響圖；

圖5為本發明實施例6中鈷摻雜對氧化鈦薄膜的載流子遷移率的影響圖；