[發(fā)明專利]QLED器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711468582.6
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN109994615A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 向超宇;王雄志;李樂;張?zhí)?/a>;辛征航;李雪
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 官建紅

1.一種QLED器件，包括層疊設(shè)置的陽極、量子點發(fā)光層、陰極，其特征在于，所述陽極和所述量子點發(fā)光層之間還設(shè)置有空穴調(diào)節(jié)層，所述空穴調(diào)節(jié)層含有磁性材料。

2.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述磁性材料包括導(dǎo)電磁性材料和/或絕緣磁性材料。

3.如權(quán)利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述導(dǎo)電磁性材料選自鐵單質(zhì)、鐵合金、鐵氧化物、鈷單質(zhì)、鈷合金、鈷氧化物、鎳單質(zhì)、鎳合金和鎳氧化物中的至少一種。

4.如權(quán)利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述絕緣磁性材料選自鐵氧體和磁性橡膠中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述磁性材料的飽和磁化強度大于80emu/g。

6.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴調(diào)節(jié)層由導(dǎo)電磁性材料組成，且所述空穴調(diào)節(jié)層的厚度為1-10nm。

7.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴調(diào)節(jié)層由絕緣磁性材料組成，且所述空穴調(diào)節(jié)層的厚度為1-5nm。

8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述陽極與所述量子點發(fā)光層之間還層疊設(shè)置有空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層與所述陽極相鄰；所述空穴調(diào)節(jié)層位于所述陽極與所述空穴注入層之間，或所述空穴調(diào)節(jié)層位于所述空穴注入層與所述空穴傳輸層之間，或所述空穴調(diào)節(jié)層位于所述空穴傳輸層與所述量子點發(fā)光層之間。

9.如權(quán)利要求8所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴調(diào)節(jié)層的厚度為3nm。

10.如權(quán)利要求1-7任一項所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供所述磁性材料；

將所述磁性材料沉積在所述陽極或所述量子點發(fā)光層上，得到所述空穴調(diào)節(jié)層。