[發明專利]一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜在審
| 申請號: | 201711468323.3 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN108198656A | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | 王筱卿;姚家駒 | 申請(專利權)人: | 王筱卿 |
| 主分類號: | H01B7/02 | 分類號: | H01B7/02;H01B7/17;H01B7/29;H01B11/00;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京遠創理想知識產權代理事務所(普通合伙) 11513 | 代理人: | 衛安樂 |
| 地址: | 200063 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機絕緣層 高溫復合 航空航天 電纜 屏蔽 核電 艦船 復合 包覆 六方氮化硼顆粒 沉淀氧化硅 氮化硅顆粒 電熔氧化鎂 復合屏蔽層 耐高溫性能 氧化鋁顆粒 重量百分比 導體 干擾信號 高溫環境 合金導體 絕緣材料 絕緣電氣 絕緣電阻 氧化鈹 高純 制備 傳輸 清晰 抵制 | ||
本發明涉及一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜及其制備方法。所述無機電纜包括多根合金導體、包覆在導體外側的復合無機絕緣層、依次包覆在復合無機絕緣層外側的復合屏蔽層;其中,所復合無機絕緣層按重量百分比由以下顆粒制得:高純電熔氧化鎂顆粒12%?23%、氣相沉淀氧化硅顆粒3%?8%,六方氮化硼顆粒0.5%%?2%、氧化鋁顆粒0.1%?3%、氧化鈹顆粒0.02%?2%,其余為氮化硅顆粒。根據本發明的艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜,可顯著提高絕緣材料的耐高溫性能特別是高溫絕緣電氣性能,在800℃?900℃的高溫環境中的絕緣電阻良好,所傳輸的信號清晰,并可有效抵制干擾信號。
技術領域
本發明涉及配電與用電技術領域,更加具體地,涉及一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜及其制備方法。
背景技術
電線電纜作為能量和信號傳輸的元件,廣泛應用于建筑電氣、軌道交通、石油化工等各個領域。近年來隨著航空航天、軍用艦船、核電能源等領域的不斷發展,特殊應用環境對于電線電纜的性能要求特別是耐高溫性能也不斷提高。高溫信號電線電纜是航空航天、軍用艦船、核電能源等高溫或高輻射領域應用的重要元件,作為交變信號耦合線圈用和高溫環境下傳輸信號用。
傳統的各類有機絕緣電纜如PVC、氟塑料、硅橡膠電纜的耐溫能力有限,且在高溫輻射環境中會迅速老化。一般的無機絕緣高溫信號傳輸或信號耦合電纜工作溫度都在500℃以下,相比各類有機電纜工作溫度高很多,但隨著應用環境的溫度升高,其絕緣電阻呈數量級下降,且其護層對干擾信號屏蔽作用不大,干擾明顯增加,有效信號時續時斷甚至被“淹沒”。
發明內容
為了克服現有技術的不足,本發明的示例性實施例提出了一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜及其制備方法。
根據本發明的一方面,一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜,包括多根合金導體、包覆在合金導體外側的復合無機絕緣層、依次以及包覆在復合無機絕緣層外側的復合屏蔽層;所述復合屏蔽層為多層屏蔽層,由外到內依次為不銹鋼屏蔽層、純鐵屏蔽層和無氧銅屏蔽層;其中,所述復合無機絕緣層按重量百分比由以下顆粒制得:高純電熔氧化鎂顆粒12%-23%、氣相沉淀氧化硅顆粒3%-8%,六方氮化硼顆粒0.5%-2%、氧化鋁顆粒0.1%-3%、氧化鈹顆粒0.02%-2%,其余為氮化硅顆粒;所述高純電熔氧化鎂顆粒的純度為99.999%以上;所述氣相沉淀氧化硅顆粒、六方氮化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鈹顆粒以及氮化硅顆粒的純度為99.999%以上。
根據本發明的示例性實施例,所述合金導體為鎳釔銅合金。
根據本發明的示例性實施例,所述高純電熔氧化鎂顆粒的平均粒徑為25nm-20μm。
根據本發明的示例性實施例,所述氣相沉淀氧化硅顆粒、六方氮化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鈹顆粒以及氮化硅顆粒的平均粒徑為50nm-50μm。
根據本發明的示例性實施例,所述復合無機絕緣層的常溫絕緣電阻不小于1000GΩ,500℃時的絕緣電阻不小于800MΩ,800℃時的絕緣電阻不小于5MΩ,800℃時的分布電容小于150pf/m。
根據本發明的另一方面,一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜及其制備方法包括:
一、導體制備
對多根合金導體進行校直、表面清理和干燥處理;
二、復合絕緣層制備
按重量百分比,對高純電熔氧化鎂顆粒12%-23%、氣相沉淀氧化硅顆粒3%-8%,六方氮化硼顆粒0.5%-2%、氧化鋁顆粒0.1%-3%、氧化鈹顆粒0.02%-2%,其余為氮化硅顆粒進行混合、壓制成型、1250℃高溫燒結與恒溫保存,得到復合絕緣瓷柱;
三、復合屏蔽層制備
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