[發明專利]一種艦船、航空航天、核電用高溫復合屏蔽無機電纜

在審

• 申請號: 201711468323.3
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN108198656A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 王筱卿;姚家駒
• 申請（專利權）人: 王筱卿
• 主分類號: H01B7/02
• 分類號: H01B7/02;H01B7/17;H01B7/29;H01B11/00;H01B13/00
• 代理公司: 北京遠創理想知識產權代理事務所(普通合伙) 11513
• 代理人: 衛安樂

1.一種高溫復合屏蔽無機電纜，其特征在于，所述高溫復合屏蔽無機電纜包括多根合金導體、包覆在合金導體外側的復合無機絕緣層、依次以及包覆在復合無機絕緣層外側的復合屏蔽層；所述復合屏蔽層為多層屏蔽層，由外到內依次為不銹鋼屏蔽層、純鐵屏蔽層和無氧銅屏蔽層；其中，所述復合無機絕緣層按重量百分比由以下顆粒制得：高純電熔氧化鎂顆粒12％-23％、氣相沉淀氧化硅顆粒3％-8％，六方氮化硼顆粒0.5％-2％、氧化鋁顆粒0.1％-3％、氧化鈹顆粒0.02％-2％，其余為氮化硅顆粒；所述高純電熔氧化鎂顆粒的純度為99.999％以上；所述氣相沉淀氧化硅顆粒、六方氮化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鈹顆粒以及氮化硅顆粒的純度為99.999％以上。

2.根據權利要求1所述的高溫復合屏蔽無機電纜，其特征在于，所述合金導體為鎳釔銅合金。

3.根據權利要求1所述的高溫復合屏蔽無機電纜，其特征在于，所述高純電熔氧化鎂顆粒的平均粒徑為25nm-20μm。

4.根據權利要求1所述的高溫復合屏蔽無機電纜，其特征在于，所述氣相沉淀氧化硅顆粒、六方氮化硅顆粒、氧化鋁顆粒、氧化鈹顆粒以及氮化硅顆粒的平均粒徑為50nm-50μm。

5.根據權利要求1所述的高溫復合屏蔽無機電纜，其特征在于，所述復合無機絕緣層的常溫絕緣電阻不小于1000GΩ，500℃時的絕緣電阻不小于800MΩ，800℃時的絕緣電阻不小于5MΩ，800℃時的分布電容小于150pf/m。

6.一種高溫復合屏蔽無機電纜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

對多根合金導體進行校直、表面清理和干燥處理；

按重量百分比，對高純電熔氧化鎂顆粒12％-23％、氣相沉淀氧化硅顆粒3％-8％，六方氮化硼顆粒0.5％-2％、氧化鋁顆粒0.1％-3％、氧化鈹顆粒0.02％-2％，其余為氮化硅顆粒進行混合、壓制成型、1250℃高溫燒結與恒溫保存，得到復合絕緣瓷柱；

不銹鋼管表面處理、鐵管表面處理、無氧銅管表面處理，干燥處理，按照由外到內依次為不銹鋼管、鐵管和無氧銅管的結構進行組裝，得到復合屏蔽層；

由內到外，依次將多根合金導體、復合絕緣瓷柱以及復合屏蔽層進行組裝，得到第一半成品；

對第一半成品進行多道次的拉拔與退火處理，得到第二半成品；

對第二半成品進行真空、冷卻處理，得到第三半成品；

對第三半成品進行多道次的拉拔與退火處理，得到高溫復合屏蔽無機電纜。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，對第一半成品進行多道次的拉拔與退火處理時，拉拔變形率為10％-30％，退火溫度為550℃-680℃,退火時間1h-3h。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，對第三半成品進行多道次的拉拔與退火處理時，拉拔變形率為10％-18％，退火溫度為500℃-650℃,退火時間1h-2.5h。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，對第二半成品進行真空、冷卻處理時，在650℃溫度下抽真空1h，然后充入氬氣，進行冷卻。