[發明專利]一種靜電放電保護器件有效
| 申請號： | 201711465447.6 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109979932B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 汪廣羊;孫俊;孫貴鵬 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 汪洋;高偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靜電 放電 保護 器件 | ||
1.一種靜電放電保護器件，其特征在于，所述靜電放電保護器件包括：
基底，所述基底具有第一類型摻雜，所述基底包括外圍區域和內部區域；
位于所述基底的所述外圍區域中的第一柵區以及位于所述第一柵區周圍的第一體區，所述第一體區具有第二類型摻雜；
位于所述第一體區內的第一源區，所述第一源區具有第二類型摻雜，所述第一體區內僅包括具有第二類型摻雜的所述第一源區，所述第一源區與所述基底構成二極管；
位于所述基底的所述內部區域中的第二柵區以及位于所述第二柵區周圍的第二體區，所述第二體區具有第二類型摻雜，所述第二柵區的深度小于或等于所述第一柵區的深度；以及
位于所述第二體區中的第二源區和位于所述第二源區之間的第一源區，所述第二源區具有第一類型摻雜。
2.根據權利要求1所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述第一源區具有的所述第二類型摻雜為重摻雜。
3.根據權利要求1所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述基底包括重摻雜的本體層和位于所述本體層之上的輕摻雜的外延層，所述第一柵區、所述第一體區和所述第一源區位于所述外延層中。
4.根據權利要求1所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述第一柵區形成于位于所述基底內的第一溝槽中，所述第二柵區形成于位于所述基底內的第二溝槽中。
5.根據權利要求4所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述第一溝槽形成于相鄰的所述第一體區之間，所述第一體區的深度小于所述第一溝槽的深度。
6.根據權利要求4所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述第一源區的深度小于所述第一溝槽的深度。
7.根據權利要求4所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述第二溝槽的深度小于或等于所述第一溝槽的深度。
8.根據權利要求1所述的靜電放電保護器件，其特征在于，所述基底的內部區域形成有DMOS器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
