[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711464632.3
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108346675A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 云峰;張思超;王善力;陸冰睿
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件包括若干個(gè)密集排布的發(fā)光像素單元，所述發(fā)光像素單元設(shè)置在襯底上；在同一襯底上還設(shè)置有控制同一襯底上發(fā)光像素單元發(fā)光的控制單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述發(fā)光像素單元由與各發(fā)光像素單元一一對(duì)應(yīng)的獨(dú)立控制單元控制。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述獨(dú)立控制單元包括存儲(chǔ)器和開(kāi)關(guān)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述發(fā)光像素單元由設(shè)置在若干個(gè)密集排布發(fā)光像素單元四周的行與列控制單元控制，且兩行控制單元的正負(fù)極相反，兩列控制單元的正負(fù)極相反。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件中的發(fā)光像素單元最小邊的長(zhǎng)度≥0.1μm，相鄰兩發(fā)光像素單元間距≥0.3μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件中的發(fā)光像素單元是由單像素點(diǎn)或多像素點(diǎn)構(gòu)成的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件，其特征在于：所述襯底選用藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵或氮化鋁中的任一種。

8.一種權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括如下步驟：

（1）在襯底上覆蓋一層墊氧化層；

（2）在墊氧化層上方覆蓋一層氮化硅層；

（3）在氮化硅層覆蓋一層二氧化硅層；

（4）采用干法或濕法刻蝕法選擇性刻蝕去除掉部分二氧化硅層、氮化硅層與墊氧化層，得到襯底的部分潔凈表面；

（5）在襯底的部分潔凈表面進(jìn)行高溫LED或LD發(fā)光單元的外延生長(zhǎng)；

（6）將生長(zhǎng)完畢的LED或LD外延層采用光刻膠保護(hù)；

（7）通過(guò)干法或濕法刻蝕，將多余的GaN外延層、二氧化硅層、部分氮化硅層去除；

（8）進(jìn)一步用濕法刻蝕將剩余的氮化硅層和墊氧化層去除，并得到襯底剩余的干凈表面；

（9）去除LED或LD外延層光刻膠；

（10）在襯底所露出的潔凈表面上進(jìn)行控制單元的低溫工藝生長(zhǎng)。