[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711464632.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108346675A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 云峰;張思超;王善力;陸冰睿 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 海迪科(南通)光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/15 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省南通*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管LED 激光二極管LD 陣列器件 發(fā)光像素單元 襯底 二極管芯片 制備 發(fā)光單元 結(jié)合方式 密集排布 使用壽命 微米量級(jí) 顯示器件 分辨率 發(fā)光 | ||
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件及其制備方法,所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件包括若干個(gè)密集排布的發(fā)光像素單元,所述發(fā)光像素單元設(shè)置在襯底上;在同一襯底上還設(shè)置有控制同一襯底上發(fā)光像素單元發(fā)光的控制單元。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件,將發(fā)光像素單元和控制單元設(shè)置在同一襯底上,與控制單元與發(fā)光單元通過(guò)bonding結(jié)合方式相比,大大降低了工藝精準(zhǔn)要求;同時(shí),該結(jié)構(gòu)的設(shè)置也能適用于尺寸較小的二極管芯片,特別是微米量級(jí)的二極管芯片,從而可提高顯示器件的分辨率,進(jìn)而能夠延長(zhǎng)發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件及其制備方法。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED)因具有高效,節(jié)能,尺寸小,壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)而備受矚目,目前已在顯示領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,如室外大面積LED陣列顯示屏、小面積OLED超薄柔性顯示屏,micro-LED陣列顯示器件也被視為OLED顯示屏之后又一具輕薄及省電優(yōu)勢(shì)的顯示技術(shù)。
半導(dǎo)體激光二極管(LD)是一種用來(lái)構(gòu)建光通信系統(tǒng)的與光纖配套使用的激光器,因其體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、效率高、能直接調(diào)制的特點(diǎn),它能直接作為光通信用光源,也可以作為激光器、放大器的泵浦源,在激光工程研究領(lǐng)域有著十分重要的地位。同樣,由于其小的發(fā)光點(diǎn)和敏銳的光譜(其高顯色性),其在顯示領(lǐng)域也有著廣泛應(yīng)用。
然而不管何種顯示技術(shù),都存在各色子像素壽命不一造成的長(zhǎng)期使用后顯色不準(zhǔn)甚至影響使用壽命的問(wèn)題。
如OLED,其發(fā)光層主要由紅色熒光材料、綠光材料以及藍(lán)光磷材料三者發(fā)光混合,其中一種材料的壽命衰減,就會(huì)讓整顆OLED像素點(diǎn)失效,但是目前有機(jī)發(fā)光藍(lán)光磷材料的壽命太短,如何克服此問(wèn)題,成為從業(yè)者必須面對(duì)的挑戰(zhàn)。OLED在能效和壽命方面還與LED有較大的差距,但目前高分辨率的微LED顯示屏制造工藝要比OLED顯示屏復(fù)雜、困難得多。一塊顯示屏往往需要數(shù)百萬(wàn)乃至上千萬(wàn)的微LED芯片進(jìn)行排列組裝,尤其是對(duì)尺寸只有微米量級(jí)的LED和與之匹配的控制單元的精確對(duì)準(zhǔn)、安放等問(wèn)題,而目前發(fā)光二極管(LED)陣列器件中控制單元與發(fā)光單元通過(guò)bonding結(jié)合方式,這種方式對(duì)工藝精準(zhǔn)要求高,大大增加了工藝難度。同時(shí)LED微芯片的尺寸仍然較大,造成顯示屏高分辨率不易實(shí)現(xiàn),如何克服這些問(wèn)題,成為從業(yè)者必須面對(duì)的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件及其制備方法,能夠降低發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件的工藝難度,且能夠提高發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件的壽命及分辨率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件,其創(chuàng)新點(diǎn)在于:所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件包括若干個(gè)密集排布的發(fā)光像素單元,所述發(fā)光像素單元設(shè)置在襯底上;在同一襯底上還設(shè)置有控制同一襯底上發(fā)光像素單元發(fā)光的控制單元。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光像素單元由與各發(fā)光像素單元一一對(duì)應(yīng)的獨(dú)立控制單元控制。
進(jìn)一步地,所述獨(dú)立控制單元包括存儲(chǔ)器和開(kāi)關(guān)。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光像素單元由設(shè)置在若干個(gè)密集排布發(fā)光像素單元四周的行與列控制單元控制,且兩行控制單元的正負(fù)極相反,兩列控制單元的正負(fù)極相反。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件中的發(fā)光像素單元最小邊的長(zhǎng)度≥0.1μm,相鄰兩發(fā)光像素單元間距≥0.3μm。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光二極管LED或激光二極管LD陣列器件中的發(fā)光像素單元是由單像素點(diǎn)或多像素點(diǎn)構(gòu)成的。
進(jìn)一步地,所述襯底選用藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵或氮化鋁中的任一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





