[發明專利]氧化鋅納米材料及其制備方法、發光器件

有效

• 申請號: 201711464371.5
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109970356B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;H01L33/14
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

本發明屬于顯示器件領域，提供了氧化鋅納米材料及其制備方法、發光器件。本發明通過施主(鎵)?受主(氮)共摻的方法，提高p型氧化鋅的受主能級，使得Ga、N共摻雜的p型氧化鋅的空穴遷移率提高，減小了氧化鋅的禁帶寬度，抑制了自補償效應，從而影響材料的空穴傳輸能力。此外，該制備方法工藝簡單，成本低，可實現大面積和大規模生產。

技術領域

本發明屬于顯示器件領域，尤其涉及氧化鋅納米材料及其制備方法、發光器件。

背景技術

ZnO是一種直接帶隙的n型半導體材料，具有3.37eV的寬禁帶和3.7eV的低功函，這種能帶結構特點決定了ZnO可成為合適的電子傳輸層材料；同時其良好的導電性、高可見光透過率、優異的水氧穩定性以及成熟的制備工藝使其在溶液工藝的光電器件中有著越來越出色的表現。

ZnO在光電領域的應用依賴于高質量的n型和p型薄膜的制備。目前人們通過摻雜己經獲得了具有較好電學性能的n型ZnO。然而本征ZnO在內部容易產生各種施主型缺陷，發生自補償作用使得p型ZnO難以制備，這種情況很大程度上限制了ZnO在光電器件方面的發展，因此如何進行摻雜獲得高質量的p型ZnO一直是ZnO研究領域的難點和熱點。

發明內容

本發明的目的在于提供一種氧化鋅納米材料及其制備方法、發光器件，旨在解決現有的本征氧化鋅在內部容易產生各種施主型缺陷，發生自補償作用使得p型氧化鋅合成條件苛刻、成本高的問題。

本發明提供了一種氧化鋅納米材料，所述氧化鋅納米材料為Ga、N共摻雜的p型氧化鋅納米材料。

本發明提供了一種氧化鋅納米材料的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

提供溶解有鋅前驅體鹽、鎵源和氮源的混合溶液；

在堿性條件下，混合反應得到Ga、N共摻雜的氧化鋅晶體溶液；

將所述Ga、N共摻雜的氧化鋅晶體溶液沉積在基板上進行退火處理，制備得到所述氧化鋅納米材料。

本發明提供了一種發光器件，包括空穴傳輸層材料，所述空穴傳輸層的材料包含如上所述的氧化鋅納米材料。

本發明提供的氧化鋅納米材料及其制備方法，通過施主(鎵)-受主(氮)共摻的方法，提高p型氧化鋅的受主能級，使得Ga、N共摻雜的p型氧化鋅的空穴遷移率提高，減小了氧化鋅的禁帶寬度，抑制了自補償效應，從而影響材料的空穴傳輸能力。此外，該制備方法工藝簡單，成本低，可實現大面積和大規模生產。

本發明提供的發光器件，由于空穴功能層含有氧化鋅納米材料，可通過用Ga、N共摻雜的p型氧化鋅作為空穴傳輸層對其禁帶寬度、空穴傳輸能力等進行調節，進而促進電子-空穴有效地復合，提高發光器件的性能。

附圖說明

圖1是本發明的實施例提供的發光器件的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

在本發明的描述中，需要理解的是，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。