[發明專利]制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201711462980.7
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108257887A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 元孝植;吳祥奎;吳星珉;鄭光鈺
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在測試晶片的單元區域中形成多個晶體管；

在所述測試晶片的所述單元區域中的第一測試單元上形成第一測試圖案，其中所述第一測試圖案電連接到所述晶體管；以及

使用電子束掃描所述第一測試圖案，

其中在所述單元區域中形成所述晶體管包括：

通過圖案化所述測試晶片的上部形成多個有源圖案；

在所述有源圖案上形成多個源極/漏極區域；

形成交叉所述有源圖案延伸的多個柵電極；

形成聯接到所述源極/漏極區域的多個有源接觸；以及

形成聯接到所述柵電極的多個柵極接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第一測試圖案選擇性地形成在所述單元區域的邊緣上或者在所述單元區域的中央地帶中，

其中當所述第一測試圖案形成在所述邊緣上時，對所述邊緣選擇性地執行所述掃描，或者當所述第一測試圖案形成在所述中央地帶中時，對所述中央地帶選擇性地執行所述掃描。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述測試晶片的所述單元區域中的第二測試單元上形成第二測試圖案，其中所述第二測試圖案電連接到所述晶體管；以及

使用所述電子束掃描所述第二測試圖案，其中所述第二測試圖案具有與所述第一測試圖案的平面形狀不同的平面形狀。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中所述第一測試單元是所述單元區域中的多個第一測試單元中的一個，

其中形成所述第一測試圖案包括：

在所述第一測試單元中的至少一個上形成第一子測試圖案；以及

在所述第一測試單元中的至少另一個上形成第二子測試圖案，

其中所述第一子測試圖案具有與所述第二子測試圖案的尺寸不同的尺寸。

5.根據權利要求4所述的方法，其中對所述第一子測試圖案或對所述第二子測試圖案選擇性地執行所述掃描。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在所述測試晶片上形成所述晶體管包括：

通過對晶片組執行第一工藝在所述晶片組中包括的多個晶片的每個上形成晶體管；

選擇所述晶片組中包括的所述晶片中的至少一個作為所述測試晶片；以及

通過對所述晶片組中的除所選擇的晶片以外的其余晶片執行第二工藝在所述其余晶片的每個上形成多個金屬層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一工藝是前段(FEOL)工藝，所述第二工藝是后段(BEOL)工藝。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述單元區域是邏輯單元區域，所述晶體管是邏輯晶體管。

9.根據權利要求1所述的方法，

其中所述單元區域是存儲單元區域，所述第一測試單元包括多個存儲晶體管，并且所述存儲晶體管包括：

第一上拉晶體管和第二上拉晶體管；

第一下拉晶體管和第二下拉晶體管；以及

第一存取晶體管和第二存取晶體管。

10.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一測試圖案包括：

形成電連接到所述有源接觸中的至少一個的第一金屬焊盤；以及

形成電連接到所述柵極接觸中的至少一個的第二金屬焊盤。