[發明專利]立式貼片電容及其制作工藝

有效

• 申請號: 201711462976.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108074739B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 李明芬;吳南;呂敏;李聯勛;馬東平;王鵬
• 申請（專利權）人: 山東芯諾電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/018;H01G4/005;H01G4/232
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 盧登濤

1.一種立式貼片電容的制造工藝，包括電容基底（3），所述的電容基底（3）包括上端面（2）和下端面（5），上端面（2）和下端面（5）的內側均設有內電極（6），內電極（6）包括上電極和下電極，上電極和下電極呈立式交錯布置，且上電極一端連接上端面（2），另一端不接觸下端面（5），下電極連接下端面（5），另一端不接觸上端面（2），上端面（2）和下端面外部設有金屬層形成外部端電極（7），端電極（7）平行于安裝面且與內電極（6）連接，所述的電容基底（3）的上端面和下端面內側蝕刻溝槽（1），溝槽（1）內填充金屬形成內電極（6）；其特征在于：所述的工藝包括以下步驟：

（1）原物料準備:準備相應尺寸硅晶圓原材料；

（2）硅晶圓減薄：硅晶圓正面貼保護膜片后，用晶圓研磨機打磨硅晶圓背面至工藝要求厚度；

（3）硅晶圓清洗：在不破壞硅晶圓表面特征的情況下清洗溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染；

（4）硅晶圓涂膜：硅晶圓涂膜采用熱氧化制作工藝：在一定溫度之下，將硅晶圓置于爐內加熱板上，驅離爐管中水氣以及氧氣后充入氮氣保護防止晶圓片的氧化和雜質的擴散，逐漸升高爐內溫度至熱氧化制作工藝溫度，在爐管中通入氧氣，并進行熱氧化制作工藝生成掩蔽層，使晶圓片具有良好的涂膠性能；

（5）硅晶圓上光刻上下兩面溝槽（1），具體包括以下步驟：

（111）通過甩膠機上在硅晶圓正面涂覆一層光刻膠；

（112）預烘后用高壓水銀燈通過掩模照射硅晶圓正面光刻膠獲得與掩模形狀相同的感光圖形；

（113）將顯影液噴涂在曝光后的硅晶圓上，顯影后用純水清洗然后置于烘箱內在烘干；

（114）烘干后采用濕法腐蝕在光刻后的硅晶圓上蝕刻出預定的溝槽（1）；

（115）蝕刻完成后去除光刻膠；

（6）溝槽（1）內表面耐壓處理，為適應不同電壓等級，溝槽（1）內表面進行耐壓處理以增加介電質的絕緣性能；

（7）硅晶圓兩面溝槽（1）內濺鍍金屬：在蝕刻后硅晶圓的上下面溝槽（1）內反復濺鍍金屬形成內電極（6）；

（8）硅晶圓上下端面鍍金屬：在步驟（5）光刻好的兩面溝槽（1）內濺鍍金屬后的硅晶圓上下表面上沉積金屬層形成端電極（7）；

（9）硅晶圓劃片：用高速旋轉的切割刀沿硅晶圓的切割槽切割硅晶圓，分割成獨立的裸晶；

（10）目檢：在顯微鏡下外觀分選，剔除外觀不良的產品；

（11）測試：測試立式貼片電容的性能，剔除電性不良的產品；

（12）包裝入庫：安裝電容器的尺寸及數量按照客戶要求包裝入庫。

2.根據權利要求1所述的立式貼片電容的制造工藝，其特征在于：所述的內電極（6）立式交錯布置的空隙中設有介電層（4），介電層（4）和內電極（6）之間形成電容效應。

3.根據權利要求1所述的立式貼片電容的制造工藝，其特征在于：所述的電容基底（3）呈水平方向長寬對等的扁平形，外層由介質包裹。

4.根據權利要求1所述的立式貼片電容的制造工藝，其特征在于：所述的步驟（3）中晶圓清洗采用濕式清洗法，依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下清洗溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染。

5.根據權利要求1所述的立式貼片電容的制造工藝，其特征在于：所述的端電極（7）鍍層金屬包括：銅（Gu)、銀(Ag)、金(Au)或鋁(Al)；內電極（6）鍍層金屬包括：金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)和鈦(Ti)。