[發(fā)明專利]立式貼片電容及其制作工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711462976.0
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN108074739B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明芬;吳南;呂敏;李聯(lián)勛;馬東平;王鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東芯諾電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/30
• 分類號(hào): H01G4/30;H01G4/018;H01G4/005;H01G4/232
• 代理公司: 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 37212
• 代理人: 盧登濤

本發(fā)明公開一種立式貼片電容及其制作工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，包括電容基底，電容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的內(nèi)側(cè)均設(shè)有內(nèi)電極，內(nèi)電極包括上電極和下電極，上電極和下電極呈立式交錯(cuò)布置，且上電極一端連接上端面，另一端不接觸下端面，下電極連接下端面，另一端不接觸上端面，上端面和下端面外部設(shè)有金屬層形成外部端電極，端電極平行于安裝面且與內(nèi)電極連接，改進(jìn)電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，解決輕薄化、小型化封裝元件內(nèi)的電容應(yīng)用問題，應(yīng)用中電容立式安裝，無需在框架上做出犧牲，保證了框架的完整性，同時(shí)通過改變電極印刷工藝、切割方法、鍍層工藝而達(dá)到改變電容的形狀及電極方向的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種立式貼片電容及其制作工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

電容是一種成熟的微電子無源器件，多應(yīng)用于電路上的儲(chǔ)能或?yàn)V波，而現(xiàn)有MLCC電容應(yīng)用在扁平封裝元件內(nèi)時(shí)其外形和端電極的形式不適用于封裝內(nèi)元件的垂直安裝方式，對(duì)封裝元件內(nèi)電容的應(yīng)用造成困擾。

MLCC電容對(duì)安裝造成的困擾：封裝元件內(nèi)器件自動(dòng)化安裝是以自動(dòng)焊接工藝進(jìn)行的，自動(dòng)焊接工藝適用于平整且表面積較大的物體，而常規(guī)MLCC電容形狀如圖6所示，呈狹長的扁平形狀，上表面狹窄細(xì)長且因兩端電極7的隆起使表面不平整，從而造成自動(dòng)焊接工藝(裝片工序)的抓取率極低，從而導(dǎo)致自動(dòng)化生產(chǎn)的良品率不高，如采用人工裝片則裝片效率及準(zhǔn)確度堪憂；如圖6-7所示，MLCC電容14的端電極7位于水平方向的兩端，如安裝在封裝元件內(nèi)，為構(gòu)成回路需在框架上開出容納MLCC電容14的缺口或增加框架數(shù)片數(shù)，如此犧牲了框架的完整性，降低了產(chǎn)品的散熱性及框架與外層塑封材料的結(jié)合力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種立式貼片電容及其制作工藝，改進(jìn)電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，解決輕薄化、小型化封裝元件內(nèi)的電容應(yīng)用問題。

本發(fā)明所述的立式貼片電容，包括電容基底，電容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的內(nèi)側(cè)均設(shè)有內(nèi)電極，內(nèi)電極包括上電極和下電極，上電極和下電極呈立式交錯(cuò)布置，且上電極一端連接上端面，另一端不接觸下端面，下電極連接下端面，另一端不接觸上端面，上端面和下端面外部設(shè)有金屬層形成外部端電極，端電極平行于安裝面且與內(nèi)電極連接。

所述的電容基底的上端面和下端面內(nèi)側(cè)蝕刻溝槽，溝槽內(nèi)填充金屬形成內(nèi)電極。

所述的內(nèi)電極立式交錯(cuò)布置的空隙中設(shè)有介電層，介電層和內(nèi)電極之間形成電容效應(yīng)。

所述的電容基底呈水平方向長寬對(duì)等的扁平形外觀，外層由介質(zhì)包裹。

所述的介電層為電子硅材料或陶瓷材料。

采用立式安裝，扁平式設(shè)計(jì)，端電極位于立式貼片電容的上下端面，充分利用立式貼片電容的片狀結(jié)構(gòu)縱列排布內(nèi)電極，并可通過增減內(nèi)電極數(shù)量及介電層厚度調(diào)整產(chǎn)品容量。

本發(fā)明所述的立式貼片電容的制造工藝，包括以下步驟：

(1)原物料準(zhǔn)備:準(zhǔn)備相應(yīng)尺寸晶圓原材料；

(2)晶圓減?。壕A正面貼保護(hù)膜片后，用晶圓研磨機(jī)打磨晶圓背面至工藝要求厚度；

(3)晶圓清洗：在不破壞晶圓表面特征的情況下清洗溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染；

(4)晶圓涂膜；

(5)晶圓上光刻上下兩面溝槽；

(6)溝槽內(nèi)表面耐壓處理，為適應(yīng)不同電壓等級(jí)，溝槽內(nèi)表面進(jìn)行耐壓處理已增加介電質(zhì)的絕緣性能；

(7)晶圓兩面溝槽內(nèi)濺鍍金屬：在蝕刻后硅晶圓的上下面溝槽內(nèi)反復(fù)濺鍍金屬形成內(nèi)電極；

(8)晶圓上下端面鍍金屬：在步驟(5)光刻好的兩面溝槽內(nèi)濺鍍金屬后的晶圓上下表面上沉積金屬層形成端電極；