[發明專利]有機發光二極管顯示面板有效
| 申請號: | 201711462637.2 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN108183125B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 李鵬 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L29/786 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 面板 | ||
本發明公布了一種有機發光二極管顯示面板,包括:薄膜晶體管;金屬層,位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層上,所述金屬層包括相互分隔的第一金屬部分和第二金屬部分,所述第一金屬部分用于傳輸直流信號,所述第二金屬部分正對所述薄膜晶體管的柵極并形成存儲電容,所述第一金屬部分包括面對所述第二金屬部分的第一側面,所述第一側面上設有第一缺口,所述第二金屬部分在所述第一側面上的垂直投影覆蓋所述第一缺口。第一缺口增大了第一金屬部分與第二金屬部分之間的距離,第一缺口僅部分減小了第一金屬部分的尺寸,避免第一金屬部分整體較窄而容易斷裂,降低了第一金屬部分和第二金屬部分容易發生短路或斷路的可能。
技術領域
本發明涉及顯示設備技術領域,尤其是涉及一種有機發光二極管顯示面板。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)一種利用有機半導體材料在電流的驅動下產生的可逆變色來實現顯示的二極管。OLED顯示裝置的基本結構通常包括空穴傳輸層、發光層與電子傳輸層。當電源供應適當電壓時,陽極的空穴與陰極的電子會在發光層中結合,產生亮光。相比于薄膜場效應晶體管液晶顯示器,OLED顯示裝置具有高可視度和高亮度的特點,并且更省電、重量輕、厚度薄,因此,OLED顯示裝置被視為21世紀最具前途的產品之一。
現有技術中,在柵極絕緣層上會沉積第二金屬層,曝光并蝕刻第二金屬層后形成兩個相互分隔的金屬部分分別用于傳輸不同的電信號,例如柵極復位信號和像素正電源信號等。伴隨著消費者對有機發光二極管顯示面板的清晰度要求不斷提高,高密度像素設計使有機發光二極管顯示面板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)的密度越來越高,曝光并蝕刻第二金屬層后形成的兩個金屬部分的尺寸及間距越來越小,增大了制造難度,且容易發生短路或斷路等缺陷。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種有機發光二極管顯示面板,用以解決現有技術中高密度像素設計的有機發光二極管顯示面板內部發生短路或斷路的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種有機發光二極管顯示面板,包括:
薄膜晶體管;
金屬層,位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層上,所述金屬層包括相互分隔的第一金屬部分和第二金屬部分,所述第一金屬部分用于傳輸直流信號,所述第二金屬部分正對所述薄膜晶體管的柵極并形成存儲電容,
所述第一金屬部分包括面對所述第二金屬部分的第一側面,所述第一側面上設有第一缺口,所述第二金屬部分在所述第一側面上的垂直投影覆蓋所述第一缺口。
一種實施方式中,所述第二金屬部分包括面對所述第一金屬部分的第二側面,及連接于所述第一側面的相對的兩側的第三側面和第四側面,所述第一缺口在所述第二側面上的垂直投影與所述第三側面的最小距離大于1μm,所述第一缺口在所述第二側面的垂直投影與所述第四側面的最小距離大于1μm。
一種實施方式中,所述第一缺口在所述第二側面上的垂直投影與所述第三側面的最小距離等于所述第一缺口在所述第二側面的垂直投影與所述第四側面的最小距離。
一種實施方式中,所述第一缺口的深度為0.1μm至0.3μm。
一種實施方式中,所述第二側面上設有第二缺口,所述第一金屬部分在所述第二側面上的垂直投影覆蓋所述第二缺口。
一種實施方式中,所述第二缺口與所述第三側面的最小距離大于1μm,所述第二缺口與所述第四側面的最小距離大于1μm。
一種實施方式中,所述第二缺口與所述第三側面的最小距離等于所述第二缺口與所述第四側面的最小距離。
一種實施方式中,所述第二缺口在所述第一側面上的垂直投影與所述第一缺口重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





