[發明專利]有機發光二極管顯示面板有效
| 申請號： | 201711462637.2 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108183125B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李鵬 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L29/786 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 發光二極管 顯示 面板 | ||
1.一種有機發光二極管顯示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶體管；
金屬層，位于所述薄膜晶體管的柵極絕緣層上，所述金屬層包括相互分隔的第一金屬部分和第二金屬部分，所述第一金屬部分用于傳輸直流信號，所述第二金屬部分正對所述薄膜晶體管的柵極并形成存儲電容，
所述第一金屬部分包括面對所述第二金屬部分的第一側面，所述第一側面上設有第一缺口，所述第二金屬部分在所述第一側面上的垂直投影覆蓋所述第一缺口；
所述第二金屬部分包括面對所述第一金屬部分的第二側面，及連接于所述第一側面的相對的兩側的第三側面和第四側面，所述第一缺口在所述第二側面上的垂直投影與所述第三側面的最小距離大于1μm，所述第一缺口在所述第二側面的垂直投影與所述第四側面的最小距離大于1μm。
2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第一缺口在所述第二側面上的垂直投影與所述第三側面的最小距離等于所述第一缺口在所述第二側面的垂直投影與所述第四側面的最小距離。
3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第一缺口的深度為0.1μm至0.3μm。
4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第二側面上設有第二缺口，所述第一金屬部分在所述第二側面上的垂直投影覆蓋所述第二缺口。
5.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第二缺口與所述第三側面的最小距離大于1μm，所述第二缺口與所述第四側面的最小距離大于1μm。
6.根據權利要求5所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第二缺口與所述第三側面的最小距離等于所述第二缺口與所述第四側面的最小距離。
7.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第二缺口在所述第一側面上的垂直投影與所述第一缺口重合。
8.根據權利要求4所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第一缺口的深度與所述第二缺口的深度之和為0.1μm至0.3μm。
9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示面板，其特征在于，所述第一缺口的深度與所述第二缺口的深度相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
