[發明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201711462028.7
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108183108A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 羅浩;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

一種陣列基板的制作方法及陣列基板，制作方法包括如下步驟：在基板上形成包括源極和漏極的薄膜晶體管；在源極和漏極上形成鈍化層；在鈍化層上形成與源極和所述漏極對應的第一過孔；在鈍化層上形成平坦化層；對平坦化層進行顯影曝光處理，在平坦化層上形成第二過孔圖案；采用氧氣對平坦化層進行灰化處理，在平坦化層上形成第二過孔，第二過孔與第一過孔對齊；采用還原劑對平坦化層進行二次灰化處理。上述陣列基板的制作方法中，通過采用O₂和還原劑對含有第二過孔圖案的平坦化層進行灰化處理，降低了源極或漏極與陽極電極的搭接電阻，避免了陣列基板的屏幕在使用時出現發熱、色彩顯示不均及功耗高等不良問題。

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術

隨著平板顯示的發展，高分辨率，低能耗的面板需求不斷被提出。其中AMOLED(有源矩陣有機發光二極管)面板因其色域廣、對比度高、分辨率高、輕薄、功耗低、響應速度快及具有柔韌性等LCD(液晶顯示屏)難以做到的優點，得到了市場和行業內的高度關注

AMOLED面板的陣列基板包括LTPS TFT(低溫多晶硅薄膜晶體管)、鈍化層、平坦化層和陽極等，LTPS TFT包括具有高遷移率的多晶硅半導體層和源/漏極，源/漏極與多晶硅半導體層連接，AMOLED陽極通過鈍化層過孔和平坦化層灰化實現與源/漏極的搭接，通過向多晶硅半導體層和源/漏極提供電流，進而驅動AMOLED的陽極。然而，在傳統的制作陣列基板的過程中，通常采用CF4和O2混合氣體對鈍化層的進行刻蝕，采用氧氣對平坦化層進行灰化，由于源/漏極的表面材質為金屬，在鈍化層刻蝕和灰化過程中，氧氣的存在導致源/漏極表面的金屬部分被氧化成金屬氧化物，從而導致源/漏極與AMOLED的陽極的搭接電阻偏大，進而導致含有上述方法制作的陣列基板的屏幕在使用時出現發熱、色彩顯示不均及功耗高等不良問題，其中，搭接電阻為源/漏極與AMOLED的陽極接觸時產生的電阻。

發明內容

基于此，有必要提供一種降低陽極與源/漏極之間的接觸電阻的陣列基板的制作法及陣列基板和顯示裝置。

一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：在基板上形成包括源極和漏極的薄膜晶體管；在源極和漏極上形成鈍化層；在所述鈍化層上形成與所述源極和所述漏極對應的第一過孔；在所述鈍化層上形成平坦化層；對所述平坦化層進行顯影曝光處理，在所述平坦化層上形成第二過孔圖案；采用氧氣對所述平坦化層進行灰化處理，在所述平坦化層上形成第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔對齊；采用還原劑對所述平坦化層進行二次灰化處理。

在其中一個實施例中，所述還原劑包括氫氣。

在其中一個實施例中，所述氫氣的溫度為90℃。

在其中一個實施例中，所述平坦化層的材質為有機絕緣材料。

在其中一個實施例中，所述平坦化層的厚度為1.8μm～3.2μm。

在其中一個實施例中，所述對所述平坦化層進行顯影曝光顯影處理，在所述平坦化層上形成第二過孔圖案之后，還包括如下步驟：在250℃～350℃溫度范圍內，對所述平坦化層進行高溫靜置。

在其中一個實施例中，所述源極和所述漏極均包括相互疊置的鈦層、鋁層以及鉬層。

在其中一個實施例中，所述源極和所述漏極均包括相互疊置的鈦層、鋁層以及鉻層。

一種陣列基板，采用上述任一項所述陣列基板的制作方法制作得到。

一種顯示裝置，包括有機電致發光器件以及所述陣列基板，所述有機電致發光器件包括陽極、陰極以及發光層，所述發光層位于所述陽極和所述陰極之間，所述有機電致發光器件的陽極與所述陣列基板的源/漏極連接。