[發明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板和顯示裝置在審
| 申請號： | 201711462028.7 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108183108A | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 羅浩;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華 | 申請（專利權）人： | 信利（惠州）智能顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 葉劍 |
| 地址： | 516029 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平坦化層 陣列基板 漏極 源極 灰化處理 鈍化層 還原劑 孔圖案 制作 薄膜晶體管 不良問題 曝光處理 色彩顯示 顯示裝置 陽極電極 孔對齊 搭接 電阻 功耗 基板 顯影 發熱 氧氣 屏幕 | ||
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
在基板上形成包括源極和漏極的薄膜晶體管；
在源極和漏極上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成與所述源極和所述漏極對應的第一過孔；
在所述鈍化層上形成平坦化層；
對所述平坦化層進行顯影曝光處理，在所述平坦化層上形成第二過孔圖案；
采用氧氣對所述平坦化層進行灰化處理，在所述平坦化層上形成第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔對齊；
采用還原劑對所述平坦化層進行二次灰化處理。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原劑包括氫氣。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氫氣的溫度為90℃。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化層的材質為有機絕緣材料。
5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化層的厚度為1.8μm～3.2μm。
6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對所述平坦化層進行顯影曝光顯影處理，在所述平坦化層上形成第二過孔圖案之后，還包括如下步驟：
在250℃～350℃溫度范圍內，對所述平坦化層進行高溫靜置。
7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源極和所述漏極均包括相互疊置的鈦層、鋁層以及鉬層。
8.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源極和所述漏極均包括相互疊置的鈦層、鋁層以及鉻層。
9.一種陣列基板，其特征在于，采用如權利要求1至8中任一項所述陣列基板的制作方法制作得到。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括有機電致發光器件以及權利要求9所述陣列基板，所述有機電致發光器件包括陽極、陰極以及發光層，所述發光層位于所述陽極和所述陰極之間，所述有機電致發光器件的陽極與所述陣列基板的源/漏極連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
