[發明專利]一種金屬薄膜退鍍方法及系統有效
| 申請號： | 201711459900.2 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108103566B | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 桑建新;董耀宗;胡立偉 | 申請（專利權）人： | 上海冠眾光學科技有限公司;蘇州印象鐳射科技有限公司 |
| 主分類號： | C25F5/00 | 分類號： | C25F5/00;C25F7/00 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產權代理事務所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201400 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 薄膜 方法 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬薄膜退鍍方法，其特征在于，包括：
步驟S00根據壓印有全息圖光柵微結構的金屬薄膜的參數設置電解液的參數；
步驟S10將所述壓印有全息圖光柵微結構的金屬薄膜放置于有所述電解液的電解電場中進行退鍍；
步驟S20在預設條件下，將所述壓印有全息圖光柵微結構的金屬薄膜的無光柵微結構區域退鍍成透明狀態；
其中，步驟S10中的電解電場包括電流密度設置為0-0.5安培每平方米，電壓設置為2-10伏特。
2.根據權利要求1所述的金屬薄膜退鍍方法，其特征在于：
所述壓印有全息圖光柵微結構的金屬薄膜的金屬鍍層的厚度為30納米以下。
3.根據權利要求1所述的金屬薄膜退鍍方法，其特征在于，步驟S20中在預設條件下包括：
預設時間，所述預設時間設置為0-100秒。
4.根據權利要求3所述的金屬薄膜退鍍方法，其特征在于，步驟S20中在預設條件下還包括：
預設溫度，所述預設溫度設置為20-65攝氏度。
5.根據權利要求1-4任一項所述的金屬薄膜退鍍方法，其特征在于，步驟S20之后還包括：
步驟S30將經過退鍍的所述壓印有全息圖光柵微結構的金屬薄膜浸入水中進行清洗。
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